努力18個月 三星電子HBM3E終獲輝達認證 股價創逾1年新高
《韓國經濟日報》報導，南韓科技巨頭三星電子公司的第五代高頻寬記憶體HBM3E最近終於突破卡關，獲得美國AI晶片巨頭輝達（Nvidia）公司期待已久的認證，這為下一波人工智慧（AI）硬體晶片的供應競爭掃清關鍵障礙。
三星電子股價聞喜訊大漲300韓元，周一（9月22日）尾盤漲幅為4.64%，報83,400韓元，改寫1年多新高。
三星成第3家輝達的HBM供應商
三星電子的第五代12層HBM3E經歷多次失敗，近日終於通過輝達的認證測試，現在三星成為南韓SK海力士和美光之後輝達的第三大高頻寬記憶體（HBM）供應商，僅管三星產量有限，但是這次認證對這家韓國科技巨頭來說意義重大。
知情人士周五透露，這家韓國科技巨頭最近通過輝達對三星第五代12層HBM3E產品的認證測試。
這次認證過關，是在三星完成晶片研發約18個月之後，此前該公司曾多次嘗試合乎輝達嚴苛的性能標準，但是都以失敗告終。
達到認證的里程碑，象徵三星在半導體產業最具戰略意義的AI產業恢復先進技術的信譽。
輝達的旗艦B300 AI加速器以及美商超微（AMD）的MI350，都已準備好部署高容量記憶體HBM3E。
三星已經向AMD交付12層HBM3E晶片，但是三星尚未對AI晶片的主要買家輝達供應HBM3E。
晶片部門負責人全永鉉功勞巨大
業內人士表示，重大突破很大程度上歸功於三星晶片業務負責人兼副董事長全永鉉今年早些時候做出的決定，他重新設計HBM3E的DRAM內核，解決早期版本一直存在的熱性能問題。
比起競爭對手SK海力士，三星對輝達供應的12層HBM3E晶片數量將相對少很多。
但是一位業內高管表示：「對三星來說，供貨輝達，與其說是為了收入，不如說是為了自尊，獲得輝達的認可意味著三星的技術重回正軌。」
然而，真正的戰場已經轉移到下一代。 HBM4是高頻寬記憶體的第六代產品，預計明年在輝達的下一代圖形架構Vera Rubin（Blackwell AI晶片的繼任者）內首次亮相。
在滿足輝達下一代HBM4記憶體嚴苛規格的競賽方面，三星佔據優勢。業內人士透露，輝達已經要求供應商實現超過10Gbps的HBM4資料傳輸速度，遠高於目前8Gbps的業界標準。三星已展示11 Gbps的速度，超過南韓SK海力士的10 Gbps，但是美國記憶體巨頭美光還難以達到這些要求。
另一個好消息是，三星計劃本月向輝達大量交付HBM4樣品，以確保儘早獲得認證。該公司預計，最快可能在2026年上半年開始向客戶大量供應 HBM4 晶片。
輝達對美光HBM4的測試認證卡關
富國銀行分析師Andrew Rocha指出，三星取得重大進展，可能對HBM售價產生增量負面影響，尤其是三星為了搶佔市場，很高機率會打折促銷HBM產品，可能帶來負面影響。
Rocha還說，鑑於美光股價目前接近170美元，「投資人對該公司即將發布的財報期望很高」。
儘管有這些擔憂，華爾街分析師仍然看好美光。美國券商TD Cowen分析師Krish Sankar 仍將美光目標價從150美元上調至180美元，同時維持「買進」的投資評級。
Sankar指出：「我們認為美光股價短期內將繼續保持優異表現，因為財報將繼續支撐這一勢頭，通常情況下，景氣循環到了這一階段，更側重於平均售價趨勢，我們預計未來業績不會出現大幅的倍數擴張，但是股票淨值可望保持增長。」
同樣地，巴克萊分析師奧馬利（Tom O’Malley）將美光的目標價從140美元上調至175美元，同時維持美光股票的「增持」投資評級。
摩根大通分析師德什潘德（Sandeep Deshpande）認為，三星獲得認證，對荷蘭半導體設備巨頭ASML來說是一個正面的發展，因為三星重返先進HBM的競賽，未來可能擴大設備採購。