EUV 製造走向新時代 四巨頭各出奇招 ASML 擴大產能並擬調漲設備價格
Newtalk新聞
隨著全球人工智慧（ AI ）晶片需求持續爆發，半導體微影設備巨頭艾司摩爾（ ASML ）的下一代 High-NA EUV（ 高數值孔徑極紫外光 ）曝光機已正式邁入商業化量產階段。然而，面對這台單價高達 4 億美元（ 約新台幣 128 億元 ）的頂尖設備，全球四大半導體巨頭英特爾（ Intel ）、台積電（ TSMC ）、三星電子（ Samsung ）與 SK 海力士（ SK Hynix ）因各自的營運現況與商業戰略考量，採取了截然不同的應對路線。
英特爾採取業界最為積極的策略，將 High-NA EUV 視為重振晶圓代工事業與建立技術差異化的王牌。根據《 半導體行業觀察 》報導，英特爾已在俄勒岡州希爾斯伯勒（ Hillsboro ）研發中心率先完成首台商用 High-NA EUV（ TWINSCAN EXE:5200B ）的驗收，並於 2026 年 7 月宣布在 Panther Lake 部分產品的 Intel 18A 製程特定關鍵層中導入該設備進行高產量製造，良率已達到與傳統 Low-NA EUV 相當的水準。英特爾計畫先以 18A 少量關鍵層「 練兵 」，再於 Intel 14A 擴大使用範圍，試圖一舉扭轉先進製程競爭劣勢。
相較之下《 半導體行業觀察 》分析指出，掌控全球逾 90 % 先進製程代工市占率的台積電則展現出極高的戰略克制。台積電總裁魏哲家在 2026 年第二季法說會上強調，新設備的導入必須取決於技術成熟度與成本合理性。由於 High-NAEU V 採用變形光學系統，單次曝光面積僅有傳統 EUV 的一半，大尺寸晶片面臨「 半視場 」（ Half-Field ）拼接問題，可能額外增加套刻與良率控制成本。台積電明確規劃其 A14 製程（ 預計 2027 年風險試產、2028 年量產 ）無需依賴 High-NA EUV，而是透過第二代 NanoFlex Pro 設計技術協同優化（ DTCO ）、 Low-NA 多重圖形化及先進曲線掩模技術，延續 0.33 NA EUV 的生命週期，以幫客戶控制成本並維護投產投資報酬率（ ROI ）。
在韓國雙雄方面，三星電子陷入暫緩與觀望狀態。三星已在其華城（ Hwaseong ）廠區部署 2 台 High-NA EUV 設備，總投資額突破 1 萬億韓元（ 約 7.7 億美元 ），但因晶圓代工部門面臨巨大財務與損益表壓力，且 2nm 訂單規模尚不足以攤薄龐大的折舊費用，目前僅將設備留於研發線測試，未來可能優先選擇在 1.4nm（ SF1.4 ）或垂直通道晶體管（ VCT ）先進 DRAM 中尋求突破。
反觀記憶體大廠 SK 海力士則展現極高決斷力，於 2025 年 9 月在利川 M16 廠安裝了記憶體行業首台量產型 TWINSCAN EXE:5200B 設備。由於記憶體晶片不存在大晶片的半視場切割難題，且 DRAM 推進至 0a nm 節點時使用 Low-NA 多重曝光會導致工序過於繁瑣，SK 海力士期盼藉由 High-NA 的單次曝光優勢簡化流程，進而鞏固其在輝達（ NVIDIA ）高頻寬記憶體（ HBM ）供應鏈中的領先地位。
四大巨頭的路線分化，使獨家供應商 ASML 成為最大贏家。ASML 在 2026 年第二季實現淨銷售額 93 億歐元、淨利 29 億歐元的優異表現，並預估 2026 全年淨銷售額將達 430 億至 450 億歐元。ASML 亦規劃在 2027 年前將 Low-NA EUV 與 DUV 浸沒式設備產能提升約 30 %，以滿足全球擴產需求。此外，隨著設備需求火熱，ASML 近期傳出醞釀調漲設備價格。根據引述《 資訊報 》（ The Information ）及《 彭博社 》（ Bloomberg ）報導，ASML 已通知部分客戶計畫將 DUV 曝光設備價格調高至少 10 %。然而，身為最大客戶的台積電對同步調漲 EUV 與 DUV 價格持保留態度，正試圖抵制相關漲價計畫，以降低龐大的資本支出壓力，雙方正在進行價格攻防。