美國晶片設備管制從「豁免」走向「年審」，半導體廠中國布局進入地緣政治動態風險期
根據《Reuters》報導，美國政府已正式核准南韓半導體巨頭三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK Hynix）取得 2026 年度的晶片製造設備出口許可，允許兩家企業向位於中國的工廠運送美國製半導體設備。
然而，與過去「經認證的終端用戶」（Validated End User, VEU）長期豁免資格不同，美國改採「每年審核」的制度，代表企業未來不再享有一次性、跨年度的出口保障。自 2026 年起，所有設備出口都必須每年重新獲得美國政府的授權後才能進行。
「年度審核制」讓美國可以根據最新貿易環境調整出口條件
為什麼美國政府決定推動制度轉向？核心意圖就在於強化對中國晶片生態系統的直接監管，藉此更完整掌握進入中國半導體領域的美國技術。同時，年度審核制也可以讓美國政府逐年評估地緣政治與國家安全情勢，並根據最新的貿易環境與國安需求，隨時調整、收緊甚至撤回出口條件，讓美方在政策執行上更具靈活度與籌碼。
另一方面，即使核准 2026 年的設備出貨，美國仍持續限制中國取得最先進晶片製造設備與相關技術的機會，以防止中國快速提升先進製程能力，進而將技術突破應用於軍事或高端消費產品。
外媒指出，這項新制度展現美國在長期管制出口政策的同時，也兼顧經濟實務上的考量：透過核發具期限的許可，美國能避免立即中斷全球記憶體供應鏈所帶來的經濟衝擊，特別是在當前 AI 資料中心需求強勁且記憶體供應吃緊的情勢下，可以有效維持全球電子製造業的短期穩定性。
年審計畫為設備更新與產能規劃帶來變數，三星與 SK 海力士成關鍵案例
在新的年審制度下，最直接影響的對象，正是在中國維持大規模產能的記憶體大廠。三星電子是全球快閃記憶體（Flash）龍頭，SK 海力士則為全球最大 DRAM 製造商，兩家企業在中國均設有至關重要的生產樞紐，包括三星位於西安的 NAND 快閃記憶體廠，以及 SK 海力士在無錫的大型 DRAM 廠與大連的 NAND 廠。這些廠區佔據全球記憶體生產的重大份額，特別是在成熟製程的 DRAM 與 NAND 產品上極具市場影響力。
然而，這些先進工廠在技術與維護上高度仰賴美國供應商提供的關鍵設備，例如應用材料（Applied Materials）為高頻寬記憶體（HBM）中關鍵的矽穿孔（TSV）技術提供基礎製造機器；Lam Research 生產的介電質蝕刻機則是減少 NAND 快閃記憶體漏電、確保數據穩定的核心工具。
因此對三星與 SK 海力士而言，2026 年度的出口許可提供短期的營運穩定性，確保中國廠區在未來一年內能獲得必要的維護設備與日常工具，防止產線停擺。然而，由於許可效期僅有一年，企業每年都必須面對審核結果的變數，這大幅增加設備更新與產能規劃的長期不確定性。
《Tom’s Hardware》分析，年度審核制度意味著出口管制已成為一項持續存在、必須反覆因應的經營風險，代表企業在中國的佈局不再取決於一次性的政策決定，而是必須隨時應對地緣政治的變化。
中國同步推動晶片設備本土化要求，降低對外國技術的依賴
在美國收緊管控的同時，中國政府也持續強化發展自主供應鏈。《Reuters》報導，北京要求晶片製造商在擴產時，必須證明至少有 50% 的製造設備來自中國本土供應商。雖然新政策細節尚未正式公布，但已透過採購招標與行政審查實際執行，若企業未達標，相關建廠或擴產申請通常會被拒絕。
中國政府的最終目標是實現晶片製造流程的全面國產化，目前如北方華創（Naura）與中微公司（AMEC）等中國本土設備商，在蝕刻與清洗設備領域已取得顯著進展，並開始在 7 奈米與 14 奈米等先進製程進行測試，試圖降低對外國設備的依賴。
美國以「年審制」取代長期豁免，等同將地緣政治正式納入半導體企業的年度經營變數，同時中國積極提高設備本土化門檻，則進一步壓縮外資與外國技術的運作空間，也顯示 2026 年全球半導體供應鏈，將加速進入以制度風險為常態的新階段。
＊本文開放合作夥伴轉載，參考資料：《Reuters》1、《Reuters》2、《SiliconAngle》、《International Business Times》、《Tom’s Hardware》，圖片來源：AI 工具生成。