三星傳出Q2擬砍5% NAND產能、西安廠為重點
MoneyDJ新聞 2023-04-20 13:15:49 記者 郭妍希 報導
韓媒傳出，三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體產將減產5%，主要調整的是西安廠產能。
BusinessKorea 20日報導，集邦科技19日分析顯示，三星今(2023)年第二季的NAND型快閃記憶體月產能會調整至620,000片12吋矽晶圓，較去年Q4減少5.34%。
根據報導，Q2期間，三星將大砍西安廠產能，其中西安一廠(Xian Plant 1)月產能預料會下修至110,000片、較去年Q4的125,000片減少12%，西安二廠(Xian Plant 2)月產能則預料會從145,000片減產7%至135,000片。西安廠佔據三星NAND總產量的40%，主要生產128-layer (V6) NAND型快閃記憶體。
三星電子4月7日發表2023年第一季初步財報時曾宣佈大幅削減記憶體產量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢採購。
BusinessKorea報導指出，當時三星表示，「我們會聚焦技術難度高的先進製程，並轉換至DDR5及LPDDR5 DRAM。」「我們會將記憶體產能調整至適當水位。」業界內部人士分析，三星本次主要會減產DRAM。不過，也有業界觀察家相信，三星應會選擇下砍NAND型快閃記憶體產能，因為當今的記憶體市況頗不樂觀。
南韓媒體The Elec 4月14日曾報導，消息顯示，三星導入更先進製程以降低DRAM成本的速度趨緩，恐怕是該公司不得不跟進美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)減產的原因。倘若引入先進製程、降低成本的速度能快一些，三星或許就不必減產，還可趁著產業景氣衰退之際擴大市佔。
The Elec引述消息人士指出，三星過去都能搶在對手前克服挑戰、維繫領導地位，如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死，這些其實都是「藉口」。部分內部人甚至說，過去五年三星在研發新技術方面有點懈怠；該公司剛開始製造雙棧(double-stack) NAND型快閃記憶體(V7)時也遇到困難。
(圖片來源：三星電子)
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