美光HBM產能拚翻倍 投資人大利多來了？
《MarketWatch》報導，美光科技(Micron Technology)(MU-US)與其他記憶體廠商必須在滿足客戶需求與避免產品供過於求之間取得微妙平衡，否則一旦記憶體市場轉差，可能面臨產能過剩的問題。
不過，在目前供應極度吃緊情況下，一名分析師認為，美光大幅提高產能將帶來「龐大機會」，公司有望從強勁需求中獲利。而一份最新報導顯示，美光似乎正朝這個方向前進。
據南韓新聞網站《Electronic Times》報導，美光據稱正投入資金，計劃在今年底前將高頻寬記憶體(HBM)產能提高一倍。
報導指出，美光希望追上南韓SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)與三星電子(Samsung Electronics)的產能，以改善12層HBM4的供應。這是最新一代HBM產品，將用於輝達的Rubin GPU等晶片。HBM是透過堆疊動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片製成，而美光、SK海力士與三星電子都是全球主要DRAM供應商。
J.Gold Associates分析師Jack Gold指出，像美光這類記憶體廠商多年來一直「困在相對低成本的標準型記憶體製造」領域。如今，HBM這類高階產品的需求「幾乎無止境」，「這為供應商帶來重大機會，可以從中獲取可觀利潤，因為產品的利潤率相當高。」
《Electronic Times》報導，美光去年HBM月產量約為4萬至5萬片晶圓。這意味著，若按照目前傳出的計畫，每月增加6萬片晶圓產能，年底HBM月產能可能達到約10萬片。
不同於一般用途的DRAM，HBM是一種專用型記憶體，速度更快、能源效率也更高，因此非常適合人工智慧應用。這些優勢也讓記憶體廠商能夠為HBM產品收取更高價格。
美光股價也因此大幅飆升，周五收漲6.1%，今年以來累計上漲256%。
同時，AI驅動的需求也造成DRAM及其他類型記憶體與儲存產品嚴重短缺，進而擠壓消費電子等其他市場。Gold指出，儘管美光、SK海力士與三星電子都已宣布擴建更多晶圓廠產能，但整個過程仍需要數年時間。
因此，三家公司都開始將現有產能從低成本記憶體轉向HBM，Gold表示，這也進一步加劇了整體記憶體供應吃緊的情況。
Gold表示，「傳統上，記憶體短缺不會永遠持續，而記憶體廠商希望在市場周期再次轉向供過於求之前，盡可能把握這波行情帶來的好處。」
預計在可預見的未來，記憶體需求仍將遠遠超過供給。
D.A. Davidson總經理Gil Luria表示，目前需求「已經超過現有供給的兩倍，而且仍在快速成長」。因此，即使美光進一步提高HBM產能，在這段期間內「很可能仍不足以滿足市場需求」。
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