格棋、普渡大學簽署 SiC 技術合作協議，布局下一代材料與高功率應用
格棋化合物半導體（GCCS）今（29 日）宣布與美國普渡大學（Purdue University）簽署合作備忘錄，共同推進下一代SiC 材料與高功率應用布局。
雙方合作方向將涵蓋SiC 長晶技術、先進材料分析、缺陷控制、晶圓品質提升，以及大尺寸晶圓平台的長期技術發展，將共同推進SiC 材料、晶體成長與高功率應用技術發展，聚焦AI 基礎建設、高效能運算（HPC）、電動車、先進電力電子、衛星通訊，以及5G、6G 等高速通訊應用。
格棋董事長熊觀明表示，台灣半導體下一個關鍵能力，不只在製程與製造，更在於材料端能否建立自主技術，並把技術能力轉化為全球供應鏈能共同信任的規格與標準。
熊觀明指出，隨著AI、高效能運算與高速通訊需求快速成長，全球半導體產業正面臨能源效率、熱管理與高功率密度等關鍵挑戰，SiC 材料的重要性也持續提升。此次與普渡大學合作，將結合普渡在半導體、材料工程與先進系統應用上的研究能量，以及格棋在SiC 長晶、晶圓製造與品質管理上的產業經驗，進一步強化格棋在大尺寸SiC 晶圓、品質穩定性與量產能力上的國際競爭力，推動台灣第三類半導體材料供應鏈與國際高階應用市場接軌。
熊觀明認為，全球客戶正在尋找可信任的第三類半導體材料夥伴，格棋具備技術與製造能力，也有台灣完整半導體聚落支撐。2026 年將是格棋從技術驗證邁向規模商業化的重要一年，未來將以更清楚的產品策略、更穩定的品質能力與更積極的客戶合作，爭取國際市場信任。
格棋半導體指出，長晶技術是公司起點，也是最重要的護城河。不只要做出晶圓，更要做出讓客戶信任的晶圓。從6 吋到8 吋的技術跨越，從良率提升到成本結構優化，再到高頻元件與大尺寸SiC 散熱應用開發，都是未來持續深化的方向。
（首圖來源：格棋半導體）