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記憶體狂潮大洗牌 AI排擠引爆SLC NAND飆漲170%!庫存價差與成本風暴全解密

理財周刊

更新於 08月04日03:32 • 發布於 08月04日03:32 • 白興邦

圖片來源:ChatGPT 製圖

全球記憶體市場正掀起一場由AI引爆的史詩級結構性缺貨!集邦科技(TrendForce)最新調查顯示,隨著三星、SK海力士與美光等國際三大原廠全力將產能傾注於高毛利的HBM(高頻寬記憶體)與伺服器DRAM,排擠效應全面引爆成熟型記憶體與SLC NAND的供給性恐慌!2026年第三季一般型DRAM合約價預估季增13%至18%,NAND Flash合約價季增10%至15%;其中工控、車用剛需的SLC NAND,下半年合約價更預估較上半年狂飆120%至170%!這股漲價浪潮正急劇分化台股供應鏈——手握低價庫存的模組廠如威剛(3260)、創見(2451)第二季獲利狂刷歷史新高,而晶片製造商南亞科(2408)、華邦電(2344)則迎來ASP(平均售價)大幅飆升的強勁拉抬!然而,高報價對必須高價補庫存的公司卻暗藏「成本壓迫風暴」,選股邏輯正面臨關鍵重塑。

數據與邏輯大解密:非消費性復甦!AI排擠效應如何引爆成熟記憶體瘋漲?

本輪記憶體漲價行情,本質上並非來自消費性電子(PC、手機)的爆炸性需求,而是AI伺服器對傳統產能的強烈排擠與國際原廠策略性退出

TrendForce 核心市場數據與漲價邏輯拆解:

  • SLC NAND 爆發力最強:TrendForce預估,2026年下半年SLC NAND合約價將較上半年大漲120%至170%。主因在於三大原廠加速關閉小容量、成熟製程產線,但工控、車用、網通與邊緣AI對SLC NAND高耐用度與高穩定的剛性需求無法被替代,供需失衡最為劇烈。整體NAND市場2026年預計出現4%至5%的供給缺口,緊縮態勢將一路延續至2027年下半年。
  • DRAM 漲勢延續但增速放緩:第三季一般型DRAM與伺服器DRAM合約價預估同步季增13%至18%。然而,由於終端PC與手機價格過高壓抑消費者換機意願,品牌廠對高報價的承受度已接近極限,漲幅較上半年呈收斂趨勢,市場開始由「價量齊揚」轉向「價格高檔、需求分化」的階段。
  • 產能排擠的物理真相:原廠將先進設備、晶圓投片與潔淨室空間優先優先轉向HBM3e/HBM4、DDR5 RDIMM及企業級SSD。即使HBM與DDR4製程不同,但在設備投資與資本支出排擠下,DDR4、DDR3與利基型DRAM的供給遭無情壓縮,迫使價格結構性走高。

晶片製造三雄與控制晶片

1. 華邦電(2344):產品結構與本次飆漲完美契合

  • 受惠核心:華邦電同時擁有利基型DRAM(DDR3/DDR4)、NOR Flash與1Gb~8Gb的SLC NAND完整產品線。工控、車用與網通客戶對SLC NAND及利基型DRAM價格承受度高,且生命週期長,使其成為本波SLC NAND暴飆170%最大受惠者。公司預定於8月6日召開第二季法說會,市場高度聚焦其產能利用率與價格轉嫁表現。

2. 南亞科(2408):ASP飆升直接注入毛利

  • 受惠核心:作為一般型DRAM製造龍頭,南亞科2026年第二季平均售價(ASP)季增超過60%,帶動單季營收季增68.2%、毛利率衝上79.5%,單季EPS高達14.66元(上半年EPS達23.38元)。DDR4與DDR5顆粒漲價直接反映於獲利,且AI基礎建設與伺服器應用營收占比已突破20%。

3. 旺宏(2337):成熟Flash產能稀缺紅利

  • 受惠核心:主供NOR Flash與SLC/Serial NAND,深刻受惠於三大原廠退出SLC NAND所帶來的缺貨潮,工控與車用客戶認證週期長,高黏著度確保其漲價紅利。

4. 控制晶片與工業儲存

  • 群聯(8299):推出了高達245.76TB的PCIe Gen5企業級SSD衝刺AI資料中心。純NAND漲價雖可能壓抑消費型控制晶片出貨,但企業級SSD與AI儲存架構比重提升是其真正中長線獲利引擎。
  • 宜鼎(5289):深耕工業級SSD與Edge AI系統,工控客戶對高價SLC/MLC材料具備高轉嫁能力,營運品質極佳。

記憶體模組三雄:獲利爆發力極大,存貨風暴風險同步高企

模組廠的獲利模式取決於「低價庫存價差」。在價格大漲前半段,獲利呈現爆發性成長;但進入後半段,高價補庫存的風險則劇烈上升。

1. 威剛(3260):上半年狂賺逾6個股本,留意補貨成本

  • 財報數據:第二季營收381.4億元、毛利率42.1%,歸屬母公司淨利104億元,單季EPS達32.39元;上半年累計EPS高達62.46元,創下歷史新高!
  • 風險提示:第二季毛利率較第一季出現微幅下滑,顯示高價補庫存成本已開始侵蝕價差。一旦報價漲幅放緩或反轉,高額存貨將面臨跌價損失風險,後續應密切追蹤存貨周轉天數與現金流。

2. 創見(2451):工控與品牌通路護體,穩健度佳

  • 財報數據:第二季營收188.2億元創歷史新高,單季EPS約27.7元,上半年EPS達46.63元。
  • 優勢分析:長期財務結構保守,工業客戶與自有品牌通路比重高,價格轉嫁能力強於純通路模組商,營運抗風險能力較佳。

3. 宇瞻(8271):積極備貨押注缺貨,資金槓桿拉升高

財報數據:第二季EPS達20.93元,上半年EPS達35.51元創高。其存貨由第一季末的83.8億元大幅增加至第二季末的124億元,顯現出極為積極的搶貨策略。在缺貨持續下獲利彈性大,但高存貨帶來的短期借款與高價庫存風險亦需警惕。

台股記憶體指標個股綜合評估表

圖片來源:ChatGPT 製圖

投資陷阱警訊與後續五大核心觀察指標

避開「低本益比假象」的陷阱: 記憶體屬於強週期產業,在景氣高峰時,公司EPS會因為「短期報價急漲+低價存貨價差+客戶恐慌備貨」而爆發性衝高(如威剛上半年賺62元、南亞科賺23元),導致「歷史追蹤本益比」看起來極低。然而,市場評價的是未來獲利,一旦價格漲幅放緩,存貨利益消失,獲利便會回落。投資人切忌以高峰期的極高EPS來推算本益比,應以「正常化雙循環週期EPS」進行理性估值。

後續五大核心追蹤指標:

  • 合約價續漲力道:追蹤第四季DRAM與NAND合約價漲幅是否低於市場預期,行情最怕「漲幅放緩」而非僅是下跌。
  • 模組廠毛利率變化:若模組廠營收續創高,但毛利率出現連續性下滑,代表低價庫存用盡,高價補貨開始侵蝕獲利。
  • 營業現金流與存貨天數:關注模組廠存貨天數是否過長,且營業現金流是否因大幅囤貨而由正轉負。
  • 國際原廠財報與股價反應:三星與SK海力士已創下歷史新高獲利,美光亦看好供需緊張延續至2026年後,若國際原廠出現「財報創高、股價不漲」的利多出盡現象,台廠將面臨評價修整。
  • 中國成熟製程產能開出進度:密切關注中國DRAM與NAND廠產能擴充狀況,TrendForce預估2027年下半年後供需緊縮將隨新產能開出而逐步緩解。

理周投研部表示,記憶體族群正處於AI產能排擠帶來的「基本面極佳、高獲利爆發」黃金期。然而選股核心已非盲目追高,首選產品結構高度契合SLC NAND缺貨潮的華邦電與獲利直反映的南亞科;對模組廠則應抱持「重毛利率與庫存控管」的謹慎態度,方能在循環浪潮中落袋為安。

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