瞄準「後HBM」商機　黃崇仁現身主持法說：力積電WoW全球領先

力積電董事長黃崇仁今年4月股東會因故未出席，當時公司表示，下一次重要法人活動將由董事長親自主持。黃崇仁今（14）日履約親自主持法人說明會，大篇幅介紹力積電3D AI Foundry布局，並高喊Wafer-on-Wafer（WoW）技術已居全球領先。他表示，隨著AI晶片持續追求高頻寬、低功耗，WoW未來有望成為後HBM時代的重要技術方向之一。

力積電董事長黃崇仁表示，力積電近年積極轉型，目前已從傳統成熟製程代工，發展為涵蓋記憶體、邏輯代工及3D AI Foundry三大業務的半導體公司，其中3D AI Foundry將是未來最重要的成長引擎，布局包括矽中介層（Interposer）、矽電容（Silicon Capacitor）、Wafer-on-Wafer（WoW）及後段晶圓製造（PWF）4大產品線。

黃崇仁表示，WoW是力積電投入超過6年的核心技術，也是公司最具競爭力的布局之一。他指出，目前力積電已完成4層WoW主要客戶資格認證，8層DRAM堆疊良率也已超過9成，並持續朝更高層數堆疊技術發展。他表示，WoW需要長時間累積混合鍵合（Hybrid Bonding）製程與晶圓薄化經驗，「很多公司都想做，但沒有像我們做那麼久」。

黃崇仁指出，力積電是全球唯一完成4層WoW資格認證、也是唯一完成8層DRAM堆疊且良率超過9成的業者，在相關技術具備領先優勢，其他競爭者仍需較長時間追趕。力積電總經理朱憲國補充，目前4層WoW產品良率已達量產水準，並完成主要客戶驗證，正等待先進邏輯晶片客戶產品導入，8層產品則仍持續驗證中。

談及WoW與HBM的差異，黃崇仁表示，目前AI晶片持續朝更高頻寬發展，但HBM堆疊層數愈來愈高，也伴隨更大的散熱與功耗挑戰。他表示，依公司評估，WoW可兼顧高頻寬與低功耗，未來若AI產業更加重視能源效率，將有機會成為AI晶片的新架構選項。

朱憲國進一步說明，目前HBM 4以前仍以Micro-bump堆疊技術為主，而WoW採用Hybrid Bonding直接貼合晶圓，可縮短晶片間垂直與水平傳輸距離，提高堆疊密度，也讓晶片做得更薄。他表示，目前已有國際記憶體大廠開始朝Hybrid Bonding發展，部分業者已採Micro-bump與Hybrid Bonding混合架構。

除WoW外，黃崇仁表示，力積電12吋矽電容已通過國際CPU大廠EMIB封裝技術認證，並開始穩定投片出貨，Interposer也受惠AI先進封裝需求持續增加，目前產線已完成移轉並開始量產爬坡。公司也同步布局矽光子及光通訊應用，希望持續擴大3D AI Foundry產品線。

朱憲國表示，目前3D AI Foundry受限於產能，今年營收占比仍為個位數，但客戶需求相當強勁，公司目標3年內將4大產品線合計營收占比提升至20%，藉由AI先進封裝、記憶體與邏輯代工3大業務同步成長，逐步改善獲利結構。

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