記憶體仍迎牛市！瑞銀大幅上修DRAM價格預測、供需失衡恐延續至2028年
瑞士銀行（UBS）日前發布最新產業研究報告，大幅上調 DRAM 合約價格預測。瑞銀預計，2026 年第三季 DDR 合約均價將較上季勁揚 32%，第四季再上漲 18%，分別大幅優於先前預估的 17% 及 12%。
NAND 快閃記憶體方面，瑞銀同步調升展望，預計第三季較上季上漲 30%（原估 17%），第四季較上季上漲 12%。
瑞銀指出，DRAM 市場供需緊張態勢預計至少延續至 2028 年上半年。據估算，2027 年晶片需求年增幅約達 36.2%，遠高於供給端的 19.3% 成長，缺口難以填補，供需失衡程度堪稱近 30 年罕見。
若不計下游庫存回補效應，供應短缺比率將從 2026 年的 8.1%，進一步惡化至 2027 年的 13.6%。
綜合上述判斷，瑞銀預期，價格上漲將推動記憶體產業 2026 年營收達 9,920 億美元，2027 年更將攀升至 1.76 兆美元。
南韓媒體週五（3 日）率先披露，三星電子計劃將第三季 DRAM 平均售價較上季調漲最高 20%。一家消費電子品牌廠商負責人亦證實，今年 6 月三星已主動洽談，目前廠商已接獲口頭漲價通知。
該負責人表示：「上游零組件大幅漲價最終會傳導至終端整機售價，對需求多少有所抑制，但考慮到消費電子產品現行售價整體不高，預期對消費者購買意願影響有限。」另有業內資深人士也確認，三星已透過口頭報價方式通知部分客戶。
三大巨頭同步擴產，搶攻 AI 晶片需求
面對供不應求的市場局面，記憶體三巨頭紛紛加速布局產能擴張。
根據《彭博》報導，美光科技 (MU-US) 週六（4 日）於日本廣島舉行西部廠區擴建奠基典禮，本次擴建投資規模達 1.5 兆日元（約 93 億美元），聚焦量產高頻寬記憶體（HBM）等高階晶片，預計 2028 年夏季前後開始出貨。
日本經濟產業省已承諾補助最高 5,000 億日元，分攤部分建廠成本。此外，美光亦在美國愛達荷州博伊西規劃兩座頂尖晶圓廠，並於今年 1 月在紐約州錫拉丘茲近郊舉行千億美元生產基地奠基儀式。
三星則宣布計劃在南韓西南城市光州興建兩座記憶體晶片製造廠；SK 海力士也規劃於全羅道周邊地區建設兩座晶圓廠。
兩家公司合計投資規模高達 800 兆韓元（約 5,223 億美元），作為南韓政府「三大超級工程」倡議的核心項目。該倡議以半導體、實體 AI 及 AI 資料中心為驅動，總投資規模達 4,755 兆韓元。
根據《韓聯社》報導，南韓總統李在明預計下週主持召開戰略審查會議，親自督導西南地區超大型半導體生產基地的進展。
另據外媒報導，SK 海力士計劃 7 月 6 日啟動美國存託憑證（ADR）簿冊建置作業，7 月 9 日確定最終發行價，並於次日在那斯達克掛牌上市，目標籌資規模最多達 294 億美元，發行股數預計不超過現有流通股的 2.5%。
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