記憶體史詩級崩跌中 原因曝光傳「這件事」直接動搖缺貨預期
台股今（3日）盤中雖一度強彈超過600點，但記憶體族群卻成為賣壓核心，走勢急轉直下，多檔指標股由紅翻黑、甚至直奔跌停，盤面震盪劇烈。早盤在美股收紅與報價上修利多激勵下，資金一度回流記憶體族群，不過開盤不到一小時，賣壓全面湧現，成為拖累盤勢的重心。
盤面重挫焦點包括南亞科技（2408）由紅翻黑，盤中一度跌停至265元，振幅達16.84%；華邦電子（2344）早盤強彈後急殺，盤中觸及跌停至104.5元；群聯電子（8299）由漲轉跌亮燈跌停；旺宏電子（2337）更是一度亮燈漲停後翻黑；威剛科技（3260）、十銓科技（4967）同步擴大跌幅，力積電（6770）也轉弱走低。
市場賣壓來源，指向中國記憶體大廠長江存儲傳出可能將原訂2027年開出的新產能，提前至2026年下半年量產。全球NAND Flash供給緊張與價格飆漲的壓力，可能提早獲得紓解，直接動搖先前「缺貨將延續至2027年」的市場共識。
市場原先主軸仍圍繞在AI與資料中心需求帶動記憶體長期缺貨，但在股價已大幅反映利多的背景下，一旦供給預期出現變數，資金迅速轉向獲利了結與恐慌性賣出，形成由紅翻黑、直殺跌停的踩踏走勢。
不過，事情是否真的屬實，目前仍有不同觀點與報導。根據《聯合報》報導，有法人指出，在供給面上，全球NAND原廠已明顯轉向保守擴產，今年總產出約1100至1200 EB，位元年成長率僅約10%-15%，遠低於過往的30%。
法人解析，即便長江存儲提前量產，新廠仍需1至2年時間進行良率爬升，且擴產重心偏向中國內需市場，，而且其重心偏向3D DRAM，對於增加全球NAND供給量的實質貢獻有限。
同時，三星、SK海力士與美光等原廠資本支出已轉向HBM與先進DRAM，多數供應商今年產能接近滿載甚至售罄，結構性缺貨短期難以改變。不過，股價反映的是未來供需預期而非當下缺貨事實，當市場開始質疑「還會缺多久」，記憶體族群首當其衝，成為這幾天盤面領跌與震盪的關鍵。