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理財

中國晶片製造突圍?新凱來(SiCarrier)展示本土製設備,可望突破5奈米技術瓶頸

優分析

更新於 2025年03月28日10:30 • 發布於 2025年03月27日15:25 • 優分析

2025年3月27日(優分析產業數據中心)— 在美國持續加強對中國高階晶片技術出口限制之際,中國晶片設備商深圳新凱來產業機械(SiCarrier Industry Machines)於近日舉行的「Semicon China」半導體展上表示,自研製程設備有望助力中國製造出先進的5奈米晶片,挑戰西方技術封鎖。

新凱來董事長戴軍表示,雖然中國目前無法取得製造先進晶片所需的曝光機系統,特別是極紫外光(EUV)曝光設備,但透過自家開發的非光學技術與製程機台,仍有機會以多重圖案化(Multi-patterning)方式,克服部分曝光難題。

「我們的製程設備能在某些情況下取代光學設備,有可能為中國提供一條實現5奈米製程的替代路徑,」戴軍在展會期間接受採訪時表示。

新凱來此次首次參展便備受關注,展出的蝕刻、薄膜沉積、光學量測與檢測設備吸引了大量參觀者。今年的Semicon China共吸引約1,400家業者參與。

不過戴軍也坦言,多重圖案化技術雖能取代EUV設備,但會增加製程複雜度,從7奈米升級至5奈米時,相關製造步驟恐增加約20%,對良率造成挑戰。

根據公司內部人士透露,新凱來的設備已被中國主要晶圓代工廠中芯國際(SMIC)採用,並與電信巨頭華為有合作關係。中芯國際截至週四尚未對此作出回應。

公開資料顯示,新凱來產業機械成立於2022年,其母公司新凱來科技創立於2021年,由深圳市政府背景的投資基金全資持有。去年12月,新凱來成為美國商務部新增至貿易黑名單的140家中國晶片設備商之一。

新凱來於2023年底取得中國知識產權主管機關核發的多重圖案化專利,該技術利用深紫外光(DUV)設備,配合「自對準四重圖案化」(Self-aligned Quadruple Patterning, SAQP)工藝,實現接近5奈米技術指標,無需依賴昂貴的EUV設備,同時降低生產成本。

面對來自美國的技術限制與封鎖,中國半導體產業正積極尋求「國產替代」路線,新凱來的出現與技術突破,或成為中國邁向先進製程領域的重要一環。然而,從理論到大規模量產仍需時間與實證驗證,外界仍密切觀察其後續發展能否真正擺脫對西方核心設備的依賴。

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