實際產能僅計畫 1/6？美銀估 SK 海力士擴產進度落後，2030 年翻倍目標受挑戰
美國銀行發布一份最新報告，指出SK 海力士到2028 年實際新增的記憶體產能，可能僅達原先規畫的六分之一，意味外界對記憶體產能大量開出的看法恐過於樂觀。
韓國總統李在明希望在2030 年前將韓國記憶體產能翻倍，韓媒近日引用美國銀行的分析，市場廣泛流傳的產能擴張數字並不實際，難在原先規畫的時程內完成。
近期供應鏈亦傳出，SK 海力士2028 年實際新開出的產能，可能只有最初規畫的六分之一。據今週刊引述一位台灣業者的說法，三星與SK 海力士位於韓國光州及全羅的大型新晶圓廠，恐怕需要約10 年時間才能全面投入營運。
首先，扣除舊廠因製程升級與微縮技術而逐步關閉、減少的產能後，韓國整體記憶體晶圓實際運作產能每年增幅不到10%；其次，光州與全羅的新廠僅基礎設施建設就需要約5 年時間，後續再花3 至4 年建置無塵室及安裝晶片製造設備。這使得整個生態鏈建起來，就需要耗費十年時間。
同時，三星、SK 海力士與美光還面臨在美國加州的集體訴訟，因涉嫌聯合壟斷及操縱價格（price-fixing），為了推動產能轉向高頻寬記憶體（HBM），刻意削減DDR3、DDR4 等傳統記憶體的產量。
（首圖來源：Freepik）