三星完成 400 層堆疊 NAND Flash，最快 2025 年第二季量產
韓國媒體報導表示，三星半導體研究所完成突破性 400 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體開發。11 月開始將技術轉移到平澤園區一號工廠產線。重要的里程碑使三星處於 NAND Flash 領先位置，超過開始量產 321 層堆疊 NAND Flash 的 SK 海力士。
BusinessKorea 報導，三星計劃 2025 年 2 月美國 2025 年國際固態電路會議 (ISSCC) 發表，並詳細介紹 1Tb 容量 400 層堆疊 TLC NAND Flash，2025 下半年量產。但專家預測，如果加速進程，量產階段可能第二季末就開始。
除了 400 層 NAND Flash，三星 2025 年增加先進記憶體產線，平澤園區安裝第九代（286 層堆疊）NAND Flash 產線，月產能 30,000~40,000 片晶圓。中國西安廠也將 128 層堆疊（V6）轉為 236 層堆疊（V8）製程。
三星 400 層堆疊 NAND Flash 代表技術重大進步，2013 年 3D NAND Flash 問世提升容量與讀取速率後，400 層堆疊 TLC NAND Flash 顯示三星有顯著進步。目前全球 NAND Flash 市占率三星領先為 36.9%，但 SK 海力士 2023 年量產 238 層堆疊 NAND Flash，最近又宣布量產 321 層堆疊，給三星很大壓力。
NAND Flash 市場近期受多因素影響，消費者需求、定價趨勢及人工智慧（AI）和資料中心等資料密集型應用興起，資料中心 NAND Flash 銷售量不斷增加，市場需求逐漸加溫。然 11 月 128Gb MLC 產品交易價格下降 29.8%，均價為 2.16 美元。市調機構 TrendForce 分析，雖然 2024 年第四季 NAND Flash 價格下跌 3%~8%，但企業級固態硬碟 (SSD) 仍上漲 5%。
三星準備量產 400 層堆疊 TLC NAND Flash 同時，也專注最佳化晶圓良率。NAND Flash 研發階段良率為 10%~20%，轉移至產線後，良率持續提升對更高產量和滿足市場需求為關鍵。
(首圖來源：三星)