ASML 第二代 EUV 曝光機開發傳瓶頸，神隊友救援力拚原時程問世

極紫外光曝光機（EUV）目前是先進半導體製程，不論 DRAM 或晶圓代工生產提升效能的關鍵。荷蘭商艾司摩爾（ASML）是全球唯一量產 EUV 曝光機的廠商，台積電、三星、英特爾先進製程都依賴 EUV 曝光機生產。現階段每台曝光機單價將近 1.5 億美元，但 ASML 的 EUV 曝光機目前出貨都是光源波長 13.5 奈米左右的第一代產品，物鏡 NA 數孔徑是 0.33，據 ASML 表示，第二代 EUV 曝光機已進入開發階段。

首代 EUV 曝光機量產型號為 NXE:3400B，產能為每小時 125PWH。ASML 目前出貨主力是 NXE:3400C，產能提升到 135WPH。預計 2021 年底還有 NXE:3600D 系列產品將推出，產能再提升到 160WPH。只不過價格也會提升到 1.45 億美元左右。

為了提升生產效率，ASML 第二代 EUV 曝光機型號將是 NXE:5000 系列，物鏡 NA 值將升到 0.55，提高曝光精準度。然而第二代 EUV 曝光機研發階段遭遇瓶頸，原本預計最快 2023 年問世，傳出可能延後到 2025~2026 年，延後近 3 年，市場人士擔心將影響半導體製程研發。

不過雖遭遇研發瓶頸，卻有神隊友救援。外電報導指出，日本最大半導體鍍膜極蝕刻設備公司東京電子（東京威力科創 Tokyo Electron）宣佈，鍍膜／顯影技術將與 ASML 合作，聯合發展下一代 EUV 曝光機生產，維持 2023 年問世。除了東京電子，比利時微電子研究中心（IMEC）也是合作夥伴。

東京電子指出，藉旋金屬抗蝕劑以顯示高解析度和高蝕刻電阻，有望使圖案更精細。含金屬的抗蝕劑需控制複雜的圖案尺寸，以及掌握晶片背面／斜面金屬污染程度。為了應付挑戰，塗層／開發人員正在聯合高 NA 實驗室安裝先進製程模組，處理含金屬抗蝕劑。

0.55 NA 值的第二代 EUV 曝光機比第一代 0.33 NA 值的 EUV 曝光機有更多優勢，包括更高對比度、圖形曝光更低成本、更高生產效率等。有消息指出，ASML 已出貨的 NXE:3400B / 3400C 系列曝光機，乃至 2021 年底問世的 3600D 系列曝光機，都會稱為首代 EUV 曝光機，因物鏡 NA 都為 0.33。第二代即是 NA 提升至 0.55 的系列產品。因效能提升，第二代 EUV 曝光機造價勢必大幅上揚，屆時生產晶片價格也將水漲船高，產品售價不會太親民也是想當然爾的事。

（首圖來源：ASML）