美光：1γ DRAM 良率進展順利，1γ 製程 LPDDR5X 記憶體送樣中
美光本週在財報電話會議中宣布，已開始向客戶提供採用新一代 1γ（1-gamma）製程、導入極紫外光（EUV）微影技術的首批 LPDDR5X 記憶體樣品。這也顯示美光已正式進入 EUV DRAM 製程時代。
美光執行長 Sanjay Mehrotra 指出，目前 1γ DRAM 技術節點上進展非常順利，良率爬升速度甚至超越 1ß（1-beta）節點紀錄。公司在本季完成多項關鍵產品里程碑，包括首批基於 1γ 製程的 LPDDR5 DRAM 認證樣品出貨。
1γ 製程是美光第六代 10 奈米級製程節點，與前一代 1ß 相比功耗降低 20%、效能提升 15%。此外，1γ 的位元密度增加 30%，隨著良率提升有望進而降低生產成本。
值得注意的是，這批基於 1γ 製程的 LPDDR5X 非美光首款使用此技術的產品。美光今年也推出 16Gb DDR5-9200 記憶體晶片，主打更高效能與更低功耗，不過還沒公布產品最新進展。
展望未來，美光計劃全面導入第六代 10 奈米級 1γ 製程，涵蓋 DDR5、LPDDR5X（最高達 10.7 GT/s）、GDDR7 及資料中心相關記憶體產品線。Mehrotra 強調，將在所有 DRAM 產品線上導入 1γ 製程，發揮此領先技術的最大效益。
目前美光是最後一個採用 EUV 微影的主要 DRAM 製造商。雖然美光尚未透露有多少層使用 EUV 技術，但推測可能主要用於原本需繁複多重曝光的關鍵層。美光已在日本啟用首台 EUV 設備，並開始量產 1γ DRAM，未來也將在日本與台灣擴大 EUV 產能。
（首圖來源：美光）
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