美光全球首款232 層NAND記憶體量產出貨，成儲存裝置創新的分水嶺

隨著全球數據量持續攀升，儲存容量和性能的提升勢在必行，美光科技宣布全球首款 232 層快閃記憶體（NAND Flash） 已正式量產，該產品採用業界頂尖的創新技術，將為儲存解決方案帶來前所未有的效能。

美光表示，這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新，包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發，以及針對美光獨步業界的 176 層 NAND 技術所進行的設計改進。目前232 層 NAND目前正在新加坡晶圓廠量產，會優先以封裝顆粒形式及透過美光 Crucial SSD 消費性產品系列向客戶出貨。

美光表示，232層 NAND 技術可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務，也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。

首款 232 層 NAND不僅具備必要的高性能儲存，具備業界最高的單位儲存密度（areal density），並提供與前幾代 NAND 相比更高的容量和更佳的能源效率，能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。

美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示，美光的 232 層 NAND 作為儲存裝置創新的分水嶺，首次證明了美光具有將3D NAND 擴展到 200 層以上的製造能力。

美光表示，該技術節點達到了現今業界最快的 NAND I/O 速度2.4 GB/s，將滿足以數據為中心的工作負載（如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲端運算等）的低延遲和高吞吐量需求。

232 層比美光176 層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快 50%，與前一代產品相比，美光 232 層 NAND 的每晶粒寫入頻寬提高 100%，讀取頻寬亦增加超過 75%，這些優勢將進一步強化 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能源效率。

232層NAND 解決方案得以為在提高性能和低功耗之間力求平衡的行動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面亦向下相容，支援舊款控制器和系統。

232 層 NAND 的精巧外形不僅賦予客戶在設計上的彈性，也實現了有史以來最高的 TLC 密度（14.6 Gb/mm2），其單位儲存密度 較目前市場上的 TLC 競品相比高出 35% 至 100%。

232 層 NAND 採用比美光前幾代產品小 28% 的新封裝尺寸2，11.5mm x 13.5mm 的封裝使其成為目前最小的高密度 NAND，而在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。

次世代 NAND 使各市場的創新成為可能

美光執行副總裁兼事業長 Sumit Sadana 表示，美光在 NAND 層數方面連續取得了業界第一的進展，進而嘉惠行動裝置電池使用時間、打造更精巧的行動裝置儲存空間、更強的雲端運算性能以及更快的人工智慧模型訓練等優勢，美光的 232 層 NAND 將是支持各產業數位轉型的端到端儲存創新的全新基礎和標準。

232 層 NAND的突破性功能將助我們的客戶在資料中心、更輕薄的筆記型電腦、最新的行動裝置和整個智慧邊緣領域提供更多創新解決方案。

責任編輯：吳秀樺

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