中國大陸加速自製　全球記憶體恐陷紅海！

今年5月，中國大陸自製DRAM模組首次在市場上出現，群聯也將和長江存儲合作，採用中國製NAND FLASH產品，全球記憶體產業版圖將因此改變。2020年第1季，當全球忙於關注疫情時，一連串消息顯示，中國大陸的記憶體產業已悄悄進入量產，全球半導體格局可能因此改變。

長江存儲量產　威剛群聯都表態合作

4月26日，國科微和長江存儲簽約，採購長江存儲生產的64層NAND FLASH記憶體，搭配國科微生產的控制器晶片，用於固態硬碟上，預計全年採購金額將超過人民幣1億元。而主攻DRAM的長鑫存儲更已經在市場上推出以其顆粒製造的記憶體模組。

一家國企採購另一家國企的產品，聽起來好像就是左手換右手，沒什麼了不起，但要知道長江存儲是2016年7月才成立的公司，滿周年就成功量產32層NAND FLASH記憶體，今年更已經開始量產64層，明年更要挑戰128層，瞄準一線業者。而64層產品是長江存儲正式打入市場的里程碑式產品，早在1月就宣告產能將擴至每個月10萬片的規模。

多家台灣公司已經準備好跟長江存儲一起進攻市場。今年1月長江存儲舉辦的大會裡，威剛科技董事長陳立白就表示，「將跟長江存儲合作推出消費型固態硬碟」，群聯董事長潘建成也表示，「長江存儲的記憶體產品已經經過驗證，且長江存儲與群聯不僅是NAND FLASH原廠與主控廠的關係，更是技術、產品、應用及市場等全方位的長期夥伴關係，未來也將會有更緊密的合作」，5月7日，群聯公告旗下全系列控制晶片都支持長江存儲產品。群聯和江波龍等公司正和長江存儲合作，準備進行大規模量產。

▲晉華案爆發後，聯電據稱已停止一切記憶體開發工作，而晉華公司也陷入困境。（圖／財訊雙週刊）

中國大陸記憶體　補足專利後市不容小覷

中國大陸在DRAM產業也有突破，今年2月，合肥長鑫宣布研發出DDR4及LPDDR4X兩種記憶體，採用19奈米製程，這是中國第1顆自製DRAM晶片，主攻PC市場。今年5月，市場上已買得到合肥長鑫製造的DRAM。

大陸1年要花掉超過600億美元，約合一兆8000億元台幣買記憶體，過去，全世界只有美國和南韓能主導記憶體技術發展，一旦中國掌握自製記憶體能力，勢必將改寫全球半導體產業格局。而最多人關心的問題是，中國大陸究竟是如何取得記憶體技術？

在NAND FLASH方面，中國大陸是從2015年開始，由武漢新芯和美國飛索半導體合作，取得NAND FLASH技術授權，2019年，武漢新芯併入長江存儲，補足長江存儲一直以來缺乏的專利保護傘。今年4月13日，長江存儲宣布年底將要量產128層NAND FLASH，挑戰一線業者。三星更因此宣布要研發160層技術，拉開跟競爭者的距離。

至於在DRAM領域，合肥長鑫是靠德國奇夢達的技術，找到突破口。奇夢達在金融海嘯時破產，其擁有的專利被英飛凌等公司收購，台灣華邦電使用的便是來自奇夢達的技術。2019年12月，合肥長鑫和加拿大公司Wi-LAN Inc.這家從英飛凌手上收購大筆奇夢達專利的公司達成協議，長鑫獲得了1000多萬份有關DRAM的技術文件及2.8 TB數據。

大陸業者入市　恐複製LCD面板戰火

此外，今年4月，合肥長鑫還跟美國記憶體技術大廠Rambus簽下協議，取得大量記憶體技術授權專利。今年恐怕只是合肥長鑫和長江存儲打基礎的1年，因為大陸媒體報導，合肥長鑫目前月產能只有5000片，到年中，月產能將提升到4萬片，並從19奈米升級至17奈米技術。

長江存儲今年底打入最主流的128層NAND FLASH技術後，今年將讓成都新廠進入量產，並完成武漢兩座廠房擴廠。目前除了三星、海力士有能力量產128層產品外，鎧俠（前東芝記憶體）、美光和英特爾今年也將推124層到144層新品競爭，報告中指出「2021年NAND FLASH市場競爭將加劇。」

記憶體技術之戰，將是中美科技戰的重要一環，誰擁有這個市場，在經濟、國防、科技主導權上將取得領先地位。記憶體市場與技術競爭激烈，缺乏專利與產能規模的業者都難以在其中卡位；當有備而來的中國大陸加入戰局後，記憶體市場會不會像LCD面板一樣，成為下一個紅海市場，值得高度關注。