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科技

Intel 斥資 1000 億美元建晶圓廠計畫延宕,2030 年才能完工

T客邦

更新於 2025年03月15日17:21 • 發布於 2025年03月05日02:30 • IFENG

Intel 斥資 1000 億美元建晶圓廠計畫延宕,2030 年才能完工

Intel 近日調整位於美國俄亥俄州 New Albany 的晶圓廠建設計畫,原定的工期再度延後,至少推遲 5 年,最快要到 2030 年才能完工投產。

這座新廠於 2022 年動工,採分階段建設。第一期工程(Mod 1)原計劃於 2025 年完工,後來延後至 2027-2028 年,現在則進一步推遲至 2030 年竣工,並預計於 2030-2031 年投產。至於第二期工程(Mod 2),最新計畫則是在 2031 年完工,2032 年正式投入生產。

晶圓廠規模龐大,為 14A 及後續製程鋪路

本次延期的主因在於市場需求的不確定性,導致 Intel 必須調整投資步伐。這項總投資規模高達 1000 億美元的計畫,初期就需投入約 280 億美元,然而未來 5 年內,半導體市場尚未顯現明顯復甦跡象,Intel 只能謹慎行事。

此外,Intel 當前的財務狀況也不容樂觀,減緩新廠建設有助於降低資本支出,讓財務報表更為平衡。不過,Intel 也強調,若市場需求回溫,公司隨時可以加快建設進度。

Intel 在俄亥俄州規劃的新廠預計佔地 4 平方公里,最多可容納 8 座晶圓廠。截至目前,該計畫已投入 640 萬工時,完成地基工程,累計澆築混凝土逾 15 萬立方公尺(約可填滿 6 座大型體育場),使用鋼筋 2.45 萬噸,鋪設近 15 萬公尺地下電纜與 3 萬公尺地下管道。

Intel 斥資 1000 億美元建晶圓廠計畫延宕,2030 年才能完工

該廠原計畫負責開發並生產 14A 及後續的製程節點,而 14A 製程預定於 2026-2027 年投產。未來,Intel 可能會採用 ASML EXE:5200 或更先進的 High-NA EUV 曝光機,每台設備價格預計超過 3.5 億美元。

隨著全球半導體市場變化,Intel 俄亥俄州新廠的進度仍存在變數,但長遠來看,該計畫仍是 Intel 強化先進製程競爭力的重要一步。

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