合肥長鑫存儲啟動人民幣百億級融資計畫衝刺製程產能

據中國媒體報導指出，中國 DRAM 製造大廠合肥長鑫正計畫進行人民幣百億等級融資，預計資金將用於發展 DRAM 先進製程，除了追趕全球領先的國際性供應商，還將用於擴產。

報導指出，合肥長鑫存儲技術有限公司於 2016 年成立，從事 DRM 記憶體顆粒設計、研發、生產和銷售，目前已建成一座 12 吋晶圓廠並投產。生產的 DDR4 記憶體顆粒被威剛、江波龍等廠商採用，在中國市場銷售。

根據合肥長鑫存儲資料顯示，目前 DRAM 記憶體顆粒通過包括英特爾與 AMD 主流或最新平台的單通道、雙通道壓力與相容測試，且 DRAM 記憶體還具超頻潛力。目前 DDR4、LPDDR4X 記憶體顆粒採用 19奈米（1x 奈米）製程技術打造，最高頻率 3,200MHz，2020 年起開始大規模對外供貨。

雖然，目前合肥長鑫存儲所生產的 DRAM 記憶體相較於全球 3 大供應商（三星、SK 海力士、美光）來說，市佔率仍非常小，並僅限定在中國市場銷售，且生產技術也落後 2 代以上，對市場影響小。不過，在中國積極發展半導體產業，DRAM 又是重要一環的情況下，積極引進資金發展已成為合肥長鑫存儲重點發展趨勢。

報導指出，融資計畫並非合肥長鑫存儲首次引資。不久前，合肥長鑫存儲的子公司睿力積體電路有限公司就在 2020 年 12 月 14 日實施一輪策略投資，引入安徽國資、兆易創新、小米長江產業基金等資金，當時取得總金額高達人民幣 156.5 億元資金。未來取得相關資金後，合肥長鑫存儲規劃 2021 年完成 17 奈米技術（1y 奈米）技術研發，並加速向 DDR5 產品研發邁進。

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