150W搭配雙芯規格 realme GT Neo3將於3月在中國發表

realme 副總裁徐起稍早預告，3 月將在中國發表 realme GT Neo3 旗艦手機；除了再次公布背部機身設計，並確認支援 150W 光速閃充規格的 GT Neo3 將有「雙芯」規格，外界預期可能是聯發科天璣 8100（Dimensity 8100）新款 5G 平台，搭配輔助快充技術的充電控制晶片，或是能提升遊戲體驗的獨立顯示晶片，但「雙芯」也可能只是代表雙電池設計。

彙整近期傳聞，realme GT Neo3 將配備 6.7 吋 FHD+ OLED「挖孔」螢幕，支援 120Hz 更新率、10-bit 顯色、螢幕指紋辨識技術；擁有 5,000 萬畫素 + 800 萬畫素 + 200 萬畫素三鏡頭主相機，1,600 萬畫素前鏡頭。預期除了聯發科版本，另有高通 Snapdragon 888 版本，傳出將分別對應 4,500mAh + 150W 快充、5,000mAh + 80W 快充規格。

▲realme GT Neo3 將是首款商用 150W 光速閃充技術的產品。