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*美光財報季度表達方式為：2024 財年第 2 季為 2023 年 12 月第一個禮拜五到 2024/02/29 (週四)，2024 財年第 3 季為 2024 年 3 月第一個禮拜五到 2024 年 6 月第一個禮拜四，以此類推。
*全篇財報按非美國通用會計準則 ( Non-GAAP ) 計算，由於 Non-GAAP 剔除了一次性、非常規等項目，更能反映企業的真實經營情況。
美光為全球第三大 DRAM 業者，HBM3e 成公司增長關鍵
美光 (MU) 科技成立於 1978 年，為全球第三大 DRAM 業者，2023 年第 4 季市占率 19.2%，僅次於三星 ( 45.5% ) 及 SK 海力士 ( 31.8% )，3 家市占率合計超過 96%；NAND Flash 則以全球 9.9% 市占率位居第 5 。
美光營運版圖橫跨 17 國，主要製造及銷售 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 與 3D XPoint 等產品，但營收都來自 DRAM ( 71% ) 與 NAND Flash ( 27% )，合計佔比達 99%；終端應用橫跨手機、PC、伺服器，也包括汽車、工業或消費性市場等。
高頻寬記憶體 ( HBM ) 近年來受惠 AI 及高效能 ( HPC ) 而加速發展，成為記憶體大廠的營收驅動力。美光跳過 HBM3，直接研發 HBM3e，且成功通過輝達 (NVDA) 驗證，將應用在新一代 H200 AI 晶片上，預期將為美光帶來新的成長動能。
美光 2024 財年第 2 季由虧轉盈，盤後飆逾 18%
2024 財年第 2 季財報表現如下：
營收 58.2 億美元 ( 季增 23% / 年增 58% )
優於公司財測 51 ~ 55 億美元區間上緣
- 高於市場預期的 53.5 億美元
- DRAM 營收 41.6 億美元 ( 季增 21% / 年增 53% )
平均銷售價格 ( ASP ) 季增約 18%
[* 位元出貨量季增約 2% ]- NAND Flash 營收 15.7 億美元 ( 季增 27% / 年增 77% )
平均銷售價格 ( ASP ) 季增超過 30%
[* 位元出貨量季減幅度約 2% ]毛利率 20.0% ( 季增 19.2 個百分點 / 年減 2.9 個百分點 )
大幅優於公司財測 11.5% ~ 14.5% 區間上緣
EPS 0.42 美元 ( 上一季 EPS -0.95 美元 / 去年同期 EPS -1.91 美元 )
高於公司財測 EPS -0.35 ~ -0.21 美元區間上緣
- 優於市場預期 EPS -0.24 美元
美光 2024 財年第 2 季財報大幅優於預期，獲利由虧轉盈的成績單刺激盤後股價大漲超過 18%，突破 113 美元。美光獲利爆發主因記憶體報價大漲推動，HBM3e 在 2024 財年第 1 季經過多個客戶驗證後，第 2 季首度認列營收，並開始量產出貨，初期供應輝達 H200 Tensor Core GPU 晶片訂單的需求，其他平台及客戶也在加速認證。
美光 2024 財年第 3 季財測營收季增雙位數，輕鬆擊敗市場預期
美光 2024 財年第 3 季財測如下：
營收 64 ~ 68 億美元
季增約 13% ( 以預估區間中點 66 億美元計算 )
- 優於市場預期的 60 億美元
毛利率 25% ~ 28%
季增約 6.5 個百分點 ( 以預估區間中點 26.5% 計算 )
EPS 0.38 ~ 0.52 美元
季增約 7.1% ( 以預估區間中點 0.45 億美元計算 )
- 高於市場預估的 0.21 美元
投資方面，預期 2024 財年資本支出為 75 ~ 80 億美元，高於 2023 財年的 70 億美元，封測投資加倍、加大對 HBM 的投資，但前段晶圓設備投資將減少 ( 含導入 EUV 及升級先進製程 )。
展望美光 2024 財年第 3 季，整體記憶體庫存將持續改善，預期 NAND Flash 位元出貨量有望因第 2 季高階產品供給受限而略微成長，DRAM 位元出貨量則預估將持平。報價方面，因記憶體原廠為改善獲利表現，漲價意圖強烈，預期將強力執行漲價計畫，預估手機、PC、伺服器及消費性 DRAM 價格將上漲 3 ~ 8% 之下，繼續推動美光營收及獲利成長。
2024 年 HBM 產值將迎來大爆發，美光 HBM3e 挾帶技術優勢，有利於市占率提升
高頻寬記憶體 ( HBM ) 近年來受惠 AI 及高效能 ( HPC ) 而加速發展，成為記憶體大廠的營收驅動力。以全球產能來看，預期 HBM ( 含矽穿孔 ) 產能至 2024 年底約每月 27 萬片 ( 美光約每月 2 萬片，占 7.4%，2023 年底每月產能僅 3,000 片 )，占整體 DRAM 產能 180 萬片約 15%，位元供給量年成長約 280%；產值方面占整體 DRAM 市場將快速增加，從 2022 / 2023 年 2.6% / 8.4%，2024 年預計成長至 20.1%，且在產能持續集中擴增在 HBM 製程上，預估 2025 年可達 25%。
美光在 2023 年 7 月推出業界首款記憶體頻寬超過 1.2 TB/s、每腳位傳輸速率超過 9.2 GB/s ( 較目前市面上的 HBM3 解決方案高出 50% )、8 層堆疊 24 GB 容量的 HBM3e，採 1β（1-beta，相當於12奈米）製程，每瓦效能較前幾代產品提升 2.5 倍，刷新 AI 數據中心的關鍵性能、容量及功耗指標。
根據公司報導顯示，這些強大的提升所帶來的好處，除了能減少大型語言模型 30% 以上的訓練時間，進而降低總體擁有成本外，也能大幅提升每日查詢次數，讓訓練完成的模型在使用時更有效率。不僅如此，美光 HBM3e 每瓦效能也替現代 AI 資料中心省下營運費用。若以裝設 1,000 萬個 GPU 計算，每組堆疊節能 5 瓦，預計將能在 5 年內省下多達 5.5 億美元的營運成本。
由於性能更強且功耗更低，實際效能超過預期，製程技術位處領先地位，讓美光先獲得輝達採購，預計在 2024 財年第 3 季開始量產，有利於美光 HBM 市占率的提升。另外，輝達近期發布 Blackwell GPU 的 HBM3e 數量增加三分之一，延續每個 GPU 中 HBM 數量穩步成長的趨勢，有利於記憶體廠長線成長動能。預期 2024 財年 HBM 能為美光帶來數億美元收入。
美光產業及股價皆位於上升週期，展現誘人投資吸引力
若從美光週線圖來看，先前在 2022 年 6 月開始經歷一年的打底階段，在突破頸線 65 美元後還經過 5 個月的整理才發起攻勢，由於籌碼累積的時間足夠久，這段時間的蓄勢有機會成為往後多頭趨勢發展的底氣。目前來看，股價正處於多頭趨勢，在突破歷史新高 98 美元後拉回至 50 日均線 ( 紅線 ) 附近，但都守在均線之上，顯示股價依舊強勢。
整體而言，記憶體產業受惠 AI 驅動，正處於多年成長期的早期階段，不管是 AI 訓練還是推論，都將推動科技持續進步，應用越來越廣，需求越來越大，進而帶動產業持續成長。對於美光而言，儘管 HBM 面對三星及 SK 海力士的強力競爭，但憑藉 HBM3e 技術略為領先的優勢，有望趁早瓜分市占，且就現階段來看仍處於 HBM 供不應求的紅利期，獲利性佳的 HBM 占美光產品比重將提升，將帶動公司產品組合轉佳，進而提振獲利表現。
綜合以上，美光基本面良好，產業景氣位於上升週期，加上技術面佳，多頭趨勢持續進行，且拉回至 50 日均線止穩，展現出誘人的投資吸引力，建議買進。
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