曝光機三強競爭，NIKON 將推新沉浸式曝光機搶市
日本科技大廠 NIKON 消息，2024 年 1 月將發表 ArF 沉浸式曝光機 NSR-S636E，為半導體生產過程關鍵層曝光系統，生產效率更高，並具高水準套印精準度和生產速度。
NIKON 介紹，數位化轉型加速，更快處理和傳輸大量資料的高性能半導體越來越重要，生產先進半導體的關鍵在推動電路圖案微縮和 3D 半導體結構，ArF 沉浸式曝光機對兩種技術都至關重要，與傳統半導體相較，3D 半導體製造更容易晶圓翹曲和變形，需要更先進曝光機校正補償。
NIKON NSR-S636E 是關鍵層沉浸式曝光機。NIKON 指出，能較以往更高精準度測量晶圓翹曲、扭曲和其他變形，達成高重疊精準度（MMO ≤ 2.1 nm）。NSR-S636E ArF 沉浸式曝光機採用增強型 iAS 可利用高精準度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能，達成高重疊精度（MMO ≤ 2.1 nm）。生產速度增加到每小時 280 片，加上減少停機時間，整體生產率提高 10%~15%，為 NIKON 半導體曝光設備最高生產效率。
NIKON 曝光設備不犧牲生產效率下，需高重疊精準度的半導體製造有優異性能，如 3D 半導體。將對先進邏輯和記憶體、CMOS 圖像感測器和 3D NAND 等 3D 半導體提出最佳解決方案。
曝光機是先進半導體製造關鍵，ASML、NIKON、CANON 三家企業拿下大多數市占，1990 年代前，NIKON 和 CANON 曾是主導地位，但 ASML 極紫外 (EUV) 設備競爭超前，極紫外光曝光機普及，使 ASML 成為龍頭。
重回市場策略，NIKON 曾表示 2024 年夏季推出成熟製程曝光機新品，為早在 1990 年代初就實用化，稱為「i 線」的老一代光源技術。NIKON 強調著眼製造功率半導體等需求。市場觀點表示，NIKON 採成熟電子零組件與技術，價格可比競爭對手便宜二至三成。
另一家曝光機大廠 CANON 則表示，研發 EUV 曝光機替代方案，引發全球半導體產業關注。CANON EUV 曝光機替代方案採全新光學系統技術，可不使用 EUV 曝光機達成高精準度製造晶片，可為全球半導體製造帶來創新與發展。
(首圖來源：NIKON)