格棋化合物半導體中壢新廠落成，攜手中科院強化高頻通訊技術

【財訊快報／記者張家瑋報導】台灣化合物半導體再添新兵，碳化矽（SiC）長晶廠格棋今日舉行中壢新廠落成典禮，並宣布與中科院合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。董事長張忠傑表示，中壢新廠總投資額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿產。其中6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，2025年8吋長晶爐擴產將進一步達到200台規模，台灣客戶目前已送樣3至5家。格棋也同時宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。
格棋成立於2022年，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗，格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿產。
技術長葉國偉博士指出，碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。
格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。

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