應材推新一代電子束系統 加速檢測晶片缺陷
應材 (AMAT-US) 今 (24) 日宣布推出新的缺陷複檢系統 SEMVision H20，幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限，透過將最靈敏的電子束 (eBeam) 技術結合先進的 AI 影像辨識，能夠更精確、迅速地分析埋藏在世界上最先進晶片裡的奈米級缺陷。
應材說，電子束成像長期以來一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷，其具備的超高解析度能在數十億組奈米級電路圖形中分析最微小的缺陷。傳統上會使用光學技術掃描晶圓以檢測潛在缺陷，隨後使用電子束對這些缺陷作更進一步的特徵分析。隨著「埃米時代」的到來，最小晶片的厚度可能只有幾個原子厚，讓辨識真正缺陷和誤報變得越來越困難。
在現今最先進的節點上，光學檢測會生成更密集的缺陷分布圖，這可能需要交付比原本數量多 100 倍的疑似缺陷，讓電子束檢測。製程控制工程師越來越需要能夠在保持大量生產所需速度和靈敏度的同時，可分析急劇增加樣本的缺陷檢測系統。
應材公司影像與製程控制事業群副總裁基思．威爾斯 (Keith Wells) 表示，新型 SEMVision H20 系統使世界領先的晶片製造商在檢測工具提供的海量數據中，從雜訊中分離出有用的訊號，其結合先進的 AI 演算法與創新電子束技術的卓越速度及解析度，能迅速辨識深藏在 3D 裝置結構中的最小缺陷，提供更快速、更準確的檢測結果，進而改善晶圓廠的生產週期和良率。
應材的新型電子束技術對於製造 2 奈米節點及更先進邏輯晶片所需的複雜 3D 結構變化至為關鍵，包括新型環繞式閘極電晶體以及高密度 DRAM 及 3D NAND 記憶體的形成。應材的 SEMVision H20 缺陷複檢系統已被領先的邏輯及記憶體晶片製造商採用，並應用於新興技術節點。
新型 SEMVision H20 系統運用兩項重大創新，能以極高的精確度分類缺陷，並提供結果的速度比現今最先進技術快 3 倍。
應材的「冷場發射」技術是電子束成像領域的突破，實現次奈米解析度以識別最微小的深層缺陷。在常溫下運作，CFE 能產生更窄的電子束並容納更多電子，因此相較於傳統熱場發射 (thermal field emission, TFE) 技術，CFE 技術的奈米級影像解析度提高多達 50%，成像速度快了高達 10 倍。
隨著 SEMVision H20 的推出，應材引入第二代 CFE 技術，在維持業界最高靈敏度和解析度的同時，提供更快的處理速度。更快的成像速度可增加晶圓上的檢測覆蓋範圍，讓晶片製造商能以三分之一的時間，收集相同的資訊量。
SEMVision H20 使用深度學習 AI 技術，能夠自動從誤報的缺陷中擷取出真實缺陷。應材的專有深度學習網絡不斷從晶圓廠的數據中進行訓練，並將缺陷分類為空隙、殘留物、刮痕、微粒及數十種其他缺陷類型分佈，實現更準確、有效率的缺陷表徵。
應材的 SEMVision 產品系列是全球最先進、應用最廣的電子束複檢系統。新型 SEMVision H20 結合新一代 CFE 技術和先進的 AI 模型，進一步擴展應材的領導地位，提供更快速、更準確的缺陷分析，幫助晶片製造商加速晶片開發，並更廣泛地運用電子束技術於大量製造中。
更多鉅亨報導
•應材停止對部分中國客戶維修服務 營收估損4億美元