中國發展DRAM，狂挖台灣人才⋯南亞科沉潛10年，下一步攻「客製化HBM」！
DRAM（動態隨機存取記憶體）大廠南亞科技2月26日舉行30周年媒體茶敘，南亞科總經理李培瑛相較前次法說會，釋出更加樂觀的記憶體市場展望，預期DRAM市況2025上半年將觸底。
南亞科2024年合併營收新台幣341.31億元，合併虧損50.83億元，比起前一年的虧損74.4億元收斂；2024年每股盈餘（EPS）-1.64元，較2023年的-2.4元改善。2025年1月份自結合併營收21.62億元，月減1.96%、年減29.35%，主要受季節性淡季影響。
面對中國記憶體廠殺價競爭，南亞科差異化求生
根據《日經》2月14日報導，記憶體3大原廠（美光、三星、海力士）可能2025年內停產DDR3與DDR4，訂單將轉向台灣記憶體廠商，外界關注南亞科、華邦電等業者是否有望受惠。
對此，李培瑛回應，這些訊息尚需時間驗證，還要長期觀察，不過庫存調節會持續發生。
而近年來中國業者大舉擴產，影響DRAM加速跌價，讓李培瑛坦言，「如果沒有中國大廠產能壓力，市場早已回復！」
他回顧，中國自從10來年前開始發展DRAM，當時業界風聲鶴唳，南亞科也流失了不少資深員工及經理人，2016~2021年中國業者還未影響全球市場平衡，不過如今對整個DRAM業界都造成影響，也因此3大廠以停產因應。
不若中國業者有政府大量投資支持，李培瑛說道，南亞科以差異性經營走出另闢蹊徑，其中一例為客製化的HBM解決方案。
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攜手合作夥伴攻客製化HBM，目標2026年出貨驗證
對於HBM發展，李培瑛表示，南亞科首要目標並非搶進3大原廠寡占、資料中心AI伺服器所用的HBM3、HBM3E，或回頭去做HBM2，而是瞄準客製化產品，「因為AI從雲端下放（至終端產品）後，需要更多客製化的高頻寬記憶體。」南亞科預計2026年底，與合作夥伴一同推出HBM新產品，將 針對AI PC、手機、機器人、汽車等終端應用 。
李培瑛並提到，HBM研發需具備「高密度設計」、「3D IC多晶片封裝」、「高頻寬設計」、「先進邏輯晶片基礎裸晶（Base die）」等4大能力，其中南亞科因沒有投入邏輯製程，將與策略夥伴一同合作。
南亞科去年12月中曾宣布，以不超過6.6億元投資旗下補丁科技，結合該公司客製化DRAM產品設計能力，共同開發高附加價值、高效能的客製化高頻寬記憶體解決方案。南亞科亦與封測夥伴福懋科一同建置3D矽穿孔製程（TSV），以及多晶片堆疊封裝的製造能力。
DeepSeek加速裝置端AI普及，看好邊緣運算將提升DRAM搭載
展望2025年市況，李培瑛表示，AI持續挹注伺服器DRAM需求，DeepSeek的出現並有助邊緣AI運算加速普及，終端產品的AI應用將開始增加，例如AI PC、AI手機、AI機器人及智慧電子產品，將有利DRAM搭載量提升；另一方面，非AI領域也可望逐步改善，預期DRAM市場有望在2025上半年觸底。
李培瑛提到，各國政府政策如美國加徵關稅，以及各國資料中心基礎建設等，對終端需求影響仍待觀察。其中，區域經濟在刺激方案推動下，將有助於庫存去化，例如中國今年1月宣布的舊換新補貼政策。
針對供需狀況，李培瑛觀察，供應商加速生產HBM及高密度DDR5，伺服器持續帶動市場需求，雲端業者大量投資AI伺服器，通用型伺服器的採購亦增加；手機業者庫存逐步回到正常水位，整體手機出貨台數及DRAM搭載量，可望比去年成長。
在PC方面，成長動能則包括作業系統更新的企業換機需求，以及AI PC的DRAM搭載量提升、區域經濟刺激方案等消費型產品需求。
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