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慧榮推新一代PCIe Gen5 SSD 控制晶片 採台積電6奈米

anue鉅亨網

更新於 2025年05月16日07:12 • 發布於 2025年05月16日07:12
慧榮推新一代PCIe Gen5 SSD 控制晶片 採台積電6奈米。(圖:慧榮提供)

慧榮科技 (SIMO-US) 今 (16) 日宣布將於 COMPUTEX 2025 展示最新晶片,其中,SM2504XT PCIe Gen5 DRAM-less SSD 控制晶片,將採用台積電(2330-TW)(TSM-US)6 奈米製造,具備超低功耗,提供業界領先的每瓦效能。

另外,慧榮也將推出 SM2324 USB4 可攜式 SSD 控制晶片,為全球首款真正支援 USB4 並內建電力傳輸 (Power Delivery, PD) 的單晶片解決方案。展現公司在 AI PC、遊戲機與行動裝置領域,推動高效能、低功耗 SSD 解決方案的卓越領導地位。

慧榮指出,SM2504XT 採用台積電先進的 6 奈米製程技術,提供高達 11.5 GB/s 的連續讀取與 11.0 GB/s 的連續寫入速度,更可達到最高 170 萬 IOPS 的隨機讀取與 200 萬 IOPS 的隨機寫入性能,且整體 SSD 功耗低於 5W。相較於上一代產品,每瓦效能提升 11%,為 PCIe Gen5 消費級 SSD 控制晶片的能效表現樹立了新標竿。

SM2504XT 支援 PCIe Gen5 x4 及 NVMe 2.0,是 AI PC、筆記型電腦及電玩系統中 DRAM-less SSD 的理想選擇,其創新的 SCA (Separate Command Address) 架構能提升 15% 連續讀取速度。此外,SM2504XT 支援最新的 3D TLC 和 QLC NAND,全面滿足市場對高效能、低功耗及高性價比 SSD 解決方案的迫切需求。

SM2324 是業界首款具備原生 USB4 支援,並內建電力傳輸的單晶片可攜式 SSD 控制晶片。提供高達 4,000MB/s 連續讀寫速度,針對 3D TLC 和 QLC NAND 進行優化,並支援高達 32TB 的儲存容量。單晶片架構可大幅降低 BOM(物料清單) 成本並簡化設計,協助 OEM 客戶加速開發小巧高速的可攜式儲存裝置,進而縮短產品上市時程。

慧榮科技終端與車用儲存事業部資深副總段喜亭表示,公司致力於開發兼具卓越效能與超低功耗的 SSD 控制晶片解決方案。SM2504XT 樹立 PCIe Gen5 消費級 SSD 每瓦效能的新標竿,SM2324 則透過高度整合的 USB4 單晶片設計,重新定義可攜式儲存技術。這些技術展現公司持續協助客戶打造更快、更輕巧且更節能的次世代 SSD 應用的承諾。

除了最新的消費級與可攜式 SSD 控制晶片,慧榮也將於 COMPUTEX 2025 展示完整的控制晶片解決方案,涵蓋車用、AI 智慧型手機、資料中心 / 企業級 SSD,以及高效能顯示介面等應用場景。這些創新產品可廣泛支援從智慧汽車、邊緣裝置到雲端基礎建設與沉浸式使用者體驗等各類 AI 應用。

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