聯電晶圓代工也有好消息
聯電（2303）力抗紅潮，不僅切入先進封裝領域建立差異化優勢，晶圓代工本業也積極推進高壓製程技術，包括14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）嵌入式高壓製程技術平台（14eHV）有新進展，與英特爾合作也傳出將由原規劃的12奈米延伸至6奈米，卡位先進製程市場。
聯電去年斥資156億元投入研發，專注開發5G通訊、AI、物聯網及車用電子等領域所需的製程技術，並鑽研特殊製程，在12奈米和14奈米特殊製程及3D IC先進封裝研發也有進展。
聯電董事長洪嘉聰指出，12奈米FinFET製程技術平台（12FFC）相較於14奈米技術（14FFC），晶片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。
洪嘉聰說，與14FFC相比，12奈米技術在優化的FinFET設備下，可實現10%的性能提升，透過降低電壓減少20%功耗，採用六走線軌道設計，使面積減少超過10%，並節省三層光罩，進一步增強聯電成本競爭力。
聯電精進製程研發之餘，也擴大國際合作。近期市場傳出，聯電正探索與英特爾延伸製程合作的可能性。