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理財

追趕SK海力士 三星:今年的HBM產能將擴增三倍

MoneyDJ理財網

發布於 2024年03月28日05:17

MoneyDJ新聞 2024-03-28 13:17:40 記者 郭妍希 報導

三星電子(Samsung Electronics Co.)今(2024)年的高頻寬記憶體(HBM)產能計畫比去年擴增三倍,希望能藉此取得市場領導地位。

《韓國經濟日報》27日報導,三星執行副總裁兼DRAM產品與科技部長Hwang Sang-joong 26日在加州聖荷西(San Jose)舉行的《Memcon 2024》會議表示,預測今年三星的HBM產能有望年增2.9倍。這高於三星稍早於2024年拉斯維加斯消費電子展(CES 2024)預測的2.4倍。

Hwang指出,第三代HBM2E及第四代HBM3量產後,今年上半將開始大量生產12層的第五代HBM,以及使用32Gb晶粒的128 GB DDR5記憶體。藉由這些產品,三星期望能在AI時代提升高效能、高容量記憶體的市場地位。

三星並在會議上發表HMB技術路線圖,預測2026年HBM出貨量將比2023年高13.8倍,2028年HBM年產出將進一步比2023年多23.1倍。

三星最新HBM3E 12H晶片已開始送樣,預計今年上半就可量產。

這場會議的參與者包括SK海力士(SK Hynix Inc.)、微軟(Microsoft)、Facebook母公司Meta Platforms、輝達(Nvidia)及超微(AMD)。

三星半導體事業部門負責人桂顯(Kyung Kye-hyun)上週才剛表示,公司正在開發次世代AI晶片「Mach-1」,已跟Naver Corp.敲定協議、預計今年底開始供應,合約金額上看1兆韓圜(7.52億美元)。Naver希望藉由跟三星的供應協議,大幅降低對輝達(Nvidia Corp.)的依賴。
華爾街日報3月26日報導,根據SemiAnalysis最新估計,SK海力士的HBM位元市占約為73%,三星居次、達22%,而美光(Micron)排名第三、約為5%。
(圖片來源:三星電子)

*編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。

延伸閱讀:

SK海力士傳擬赴美造HBM先進封裝廠、2028年開張

爆料:三星3奈米良率翻3倍、PPA有望趕上台積N3P

資料來源-MoneyDJ理財網

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