SK 海力士開發 321 層 UFS 4.1 NAND Flash，明年第一季量產
韓國記憶體大廠 SK 海力士日宣布，公司成功開發出搭載全球最高 321 層 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體的 UFS 4.1 行動解決方案產品 。
SK 海力士表示，為了在行動設備達成邊緣 AI 穩定運行，搭載 NAND Flash 快閃記憶體解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性，這依賴這款對 AI 工作執行最佳化的 UFS 4.1 產品，鞏固旗艦智慧手機市場記憶體領導地位。
SK 海力士指出，邊緣 AI 需求持續成長，終端設備運算性能與電池效率間的平衡日趨關鍵，超薄設計和低功耗特性已成為行動設備的產業標準。為順應趨勢，SK 海力士開發新品較上代基於 238 層 NAND Flash 快閃記憶體的產品能效提升 7%，產品厚度從 1mm 減薄至 0.85mm，能搭配超薄智慧手機。
產品支持第四代 UFS 產品的順序讀取最高速率，數據傳輸速率高達 4,300MB/s。這決定行動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產品，性能分別提升 15% 與 40%，達 UFS 4.1 產品全球領先水準。
SK 海力士指出，即時提供邊緣 AI 所需數據，顯著提升應用程式的運行效率與回應速度，有效增強用戶實際體驗。有 512GB 和 1TB 兩種容量，年內送樣客戶驗證流程，並 2026 年第一季量產。
SK 海力士研發長安炫表示，以此次產品開發為契機，年內完成基於全球最高 321 層堆疊 4D NAND Flash 快閃記憶體的消費級和資料中心級固態硬碟 (SSD) 產品的開發工作。SK 海力士 NAND Flash 快閃記憶體領域構建具備 AI 技術競爭力的產品組合，鞏固全方位 AI 記憶體供應商地位。
(首圖來源：SK 海力士)