趁便宜買進大容量記憶體！Team Group T-FORCE VULCAN Z DDR4-3200 16GB x 2 雙平台測試
繼去年 NAND 快閃記憶體價格腰斬之後，如今也可以感受到記憶體的有感降幅，去年的購置運算在今年可以買到 2 倍容量，甚至是速度更快的記憶體。Team Group 十銓科技透過 T-FORCE 電競品牌推出入門款式 VULCAN Z 記憶體模組，切入入門超頻市場。
選容量還是速度？
去年 SSD 經歷不小的價格跌幅，年初 512GB 等級的價格，到了年尾能夠買進 1TB 容量等級，可謂「先買先享受，晚買享折扣」的最佳寫照。近來記憶體也因終端市場需求下滑的影響，市場報價持續走低，消費市場也可以感受到明顯降幅，部分產品已喊出過去低點 1GB 新台幣 100 元，升級容量正對時。
容量以外，超頻記憶體模組相對而言也會更便宜，特別是 AMD Zen/Zen+ 微架構 Ryzen 處理器平台，其內部溝通網路 Infinity Fabric 與記憶體等效時脈掛勾，記憶體越快，代表內部交換資料更有效率。但無論是 AMD 或是 Intel 平台，筆者均建議購買 DDR4-3200～DDR4-3600 這個速度區間，取得速度與價格的平衡點。
若是玩家在記憶體方面有著更多預算，則不妨朝向記憶體容量擴增方向，如本文介紹的 Team Group T-FORCE VULCAN Z DDR4-3200 32GB（16GB x 2）套裝，採用入門超頻 DDR4-3200 設定，2 條記憶體模組各自擁有 16GB 容量，裝設在一般主流平台主機板 4 條記憶體插槽，還可留下 2 條插槽供未來升級之用。
▲ T-FORCE VULCAN Z DDR4-3200 32GB（16GB x 2）套裝採用可重複使用的塑膠泡殼包裝，記憶體模組提供紅色或是灰色散熱片版本。
▲ T-FORCE VULCAN Z 共推出單條 4GB、8GB、16GB 容量版本，也有雙通道模組套裝，商品確切規格以貼紙方式記載。
▲ 包裝除了記憶體模組之外，另外還有 1 張安裝與保固說明書、1 張 T-FORCE 貼紙。
Team Group T-FORCE VULCAN Z DDR4-3200 32GB Kit TLZRD432G3200HC16CDC01 規格
- 記憶體：DDR4
- 容量：16GB x 2
- 規格尺寸：DIMM
- 等效時脈：2400MHz、3200MHz（XMP 2.0）
- 時序：16-16-16-39、16-18-18-38（XMP 2.0）
- 電壓：1.2V、1.35V（XMP 2.0）
矮散熱片不卡卡
VULCAN Z 外型設計前身為 VULCAN，雙方均採用 T-FORCE 電競品牌的 T 作為外型設計發想，但最終在散熱片細節部分有所差異，VULCAN 風格較為剛硬，VULCAN Z 略為柔和。
VULCAN Z 在單面散熱片印製 T-FORCE 與 VULCAN Z 圖案，另外一面則在散熱片貼上規格資訊。由於此系列屬於 T-FORCE 入門款超頻記憶體，因此散熱片並未大幅成長，透過完整的散熱片包覆，比標準 DDR4 記憶體模組 31mm 高度略微多出 0.8mm 左右，不到 40mm 高度可相容絕大多數大型處理器散熱器。
▲ 編輯部的測試品為紅色 16GB x 2 共 32GB 雙通道套件組，其中一面的紅色散熱片印有 T-FORCE 與 VULCAN Z 圖示。
▲ 另外一面貼上本款記憶體模組規格型號貼紙。
▲ 因散熱片包覆的關係，模組高度比標準 31mm 高出 0.8 散熱片厚度，廠商也在此安排 T-FORCE 字樣。
▲ 透過電路板露出一隅，可見到 8 數字，表示本款採用 8 層電路板設計。
SK hynix 顆粒
卸下紅色散熱片，可以發現這款記憶體模組單條採用 16 顆 8Gb 顆粒，分別以 8 顆 1 組方式焊接於電路板正反面，為 2 rank 形式。記憶體封裝顆粒以雷射方式印有自家 Team T4D10248HT-32 字樣，並採用 A2 版本電路板，記憶體顆粒更靠近下方金手指接點。
以 Thaiphoon Burner 讀取 SPD EEPROM 內部儲存資訊，可以發現記憶體顆粒實為 SK hynix H5AN8G8NAFR-UHC，單顆容量 8Gb，對外資料匯流排寬度 8bit，為 20nm 製程原生 DDR4-2400 規格，SPD 內部共計有 3 組 JEDEC DDR4-2400 時序，最低可來到 16-16-16-39。
▲ 姑且稱焊接 SPD EEPROM 的那一面為電路板正面，此面焊有 8 顆記憶體顆粒組成單 rank，單顆記憶體容量為 8Gb。
▲ 電路板背面另外焊有 8 顆記憶體顆粒組成另外 1 個 rank，亦可見到採用 A2 版本設計，記憶體顆粒往下更接近金手指接點。
▲ 記憶體顆粒以雷射方式印製 Team T4D10248HT-32 字樣。
▲ 透過 Thaiphoon Burner 讀取 SPD 資訊，可以發現記憶體顆粒實為 H5AN8G8NAFR-UHC。
（下一頁：AMD、Intel 雙平台測試）
AMD 受惠時脈增長
T-FORCE VULCAN Z 官方文宣表示支援 AMD 與 Intel 平台，因此筆者也透過 Ryzen 5 2400G 和 Core i9-9900K 2 顆處理器分別驗證 JEDEC 最高 DDR-2400 和 XMP DDR4-3200 的效能差異。
首先是 AMD Zen/Zen+ 微架構處理器當中相當重要的 Infinity Fabric 時脈，由於和記憶體等效時脈連動，套用 XMP 設定之後，效能成長幅度比起 Intel 平台多更多。加上 DDR4-3200 是個連第一代 Zen 微架構都能夠輕易飆上的時脈，玩家比較不用擔心相容性問題。
▲ T-FORCE VULCAN Z 16GB x 2 搭配 Ryzen 5 2400G 進行測試，選用主機板為 GIGABYTE GA-AB350N-Gaming WIFI，JEDEC DDR4-2400 可選用最低時序組態，直接套用 XMP DDR4-3200 也沒問題。
▲ CPU-Z 套用 XMP DDR4-3200 前後，分別是單執行緒和多執行緒佔有優勢，JEDEC DDR4-2400 單執行緒效能多出約 2.1％，XMP DDR4-3200 多執行緒約為 1.8％。
▲ Cinebench R15 單執行緒、多執行緒效能均因 XMP DDR4-3200 均有成長，分別約為 2.6％ 和 2.5％。
▲ Cinebench R20 是我們標準測試的新成員，可以使用現代處理器額外的向量指令級，此處單執行緒和多執行緒同樣受惠於 XMP DDR4-3200，分別成長約 1.8％ 和 2.2％。
▲ Ryzen 5 2400G 套用 XMP DDR4-3200 前後的 PCMark 10 差距約 4.6％，其中多數加諸於 Digital Content Creation 和 Gaming。
▲ AIDA 64 負責量測實際存取頻寬，套用 XMP 之後，不僅獲取 40GB/s 以上記憶體頻寬，存取延遲連帶下降 22.2％。
Intel 雖然因為處理器架構緣故，套用 XMP DDR4-3200 之後的效能提升幅度不若 AMD 平台，甚至可以說是在伯仲之間，絕大多數測試項目均有提升但不明顯，PCMark 10 甚至因測試差距而略低一些，AIDA 64 則可明確量測到記憶體讀寫頻寬加大。
▲ Core i9-9900K 處理器搭配 Asus ROG Maximus XI Extreme 主機板，T-FORCE VULCAN Z 16GB x 2 主要時序與 AMD 平台相同。
▲ CPU-Z 測試項目套用 XMP DDR4-3200 前後，Core i9-9900K 單執行緒和多執行緒效能約成長 0.6％ 和 0.2％。
▲ Core i9-9900K 使用 JEDEC DDR4-2400 在 Cinebench R15 單執行緒效能多出約 1.4％，XMP DDR4-3200 多執行緒效能則是多出 0.7％。
▲ Cinebench R20 由 XMP DDR4-3200 取得略佳的表現，單執行緒和多執行緒分別為 521cb 和 4867cb，分別成長約 0.2％ 和 0.6％。
▲ PCMark 10 因為測試誤差緣故，XMP DDR4-3200 設定反而比 JEDEC DDR4-2400 略低一些，JEDEC DDR4-2400 總分為 3570 分高出 0.8％。
▲ 記憶體控制器效能與處理器內部結構差異緣故，即便 AMD 與 Intel 雙方均使用相同的主要時序，Core i9-9900K 的 AIDA64 記憶體讀寫速度和延遲表現較佳。
由於雙 rank 模組線路需通過比單面模組多出 1 倍的記憶體顆粒，訊號完整性多少受到影響。以手邊的 Core i9-9900K 和 ROG Maximus XI Extreme 進行測試，T-FORCE VULCAN Z 16GB x 2 可從 DDR4-3200 超頻至 DDR4-3400，電壓與時序分別為 1.35V 和 2T 16-18-18-38，DDR4-3466 即便將時序放寬至 19 也無法通過 MemTest86 1pass。（註：影響超頻因素眾多，因此這部分不列入評測結果）
▲ T-FORCE VULCAN Z 16GB x 2 可使用 1.35V/2T/16-18-18-38 設定，於 Intel 平台將記憶體等效頻率拉升至 DDR4-3400 並通過 MemTest86 測試。
▲ 等效時脈提升至 DDR4-3400，AIDA 64 記憶體頻寬測試寫入突破 50GB/s。
效能、容量、荷包兼顧
依照大環境現象而言，目前趁著記憶體價格下修買進正是時候；由於市場價格下修，源頭生產製造廠商如 Samsung、Micron、SK hynix 也會更快、更大規模地轉進新一代製程，以便在同一晶圓上生產更多晶粒降低成本，原生 DDR4-2666 甚至是 DDR4-2933 顆粒市占率將會越來越高。
在此狀況下，採用 20nm 世代的記憶體顆粒也會面臨不小的去庫存化壓力，特別是這些 XMP 超頻幅度和 JEDEC 標準對打的產品，將逐漸退出市場。一般消費者並非超頻大戶，不需要迷戀特選顆粒，對於 2 rank 記憶體模組而言，還有 rank interleave 存取方式增加些許效能，趁此機會買進大容量記憶體才是最佳選擇，相信 Google Chrome 也會很開心。
目前這套 T-FORCE VULCAN Z DDR4-3200 32GB Kit 尚未於台灣通路正式發售，相對於其它採用 Samsung B-die 或是加上 RGB LED 燈光效果的版本並不會比較貴，推測 VULCAN Z 單條 16GB 模組單價應該在新台幣 2,000～2,500 元左右。
產品資訊
Team Group T-FORCE VULCAN Z DDR4-3200 32GB Kit
測試平台
- Intel：
- 處理器：Intel Core i9-9900K
- 主機板：Asus ROG Maximus XI Extreme
- 系統碟：Plextor M9Pe(G) 512GB
- 電源供應器：Seasonic Platinum 1000W
- 作業系統：Microsoft Windows 10 Pro 64bit 1809
- AMD：
- 處理器：Ryzen 5 2400G
- 主機板：GIGABYTE GA-AB350N-Gaming WIFI
- 系統碟：Plextor M9Pe(G) 512GB
- 電源供應器：Seasonic Platinum 1000W
- 作業系統：Microsoft Windows 10 Pro 64bit 1809