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淺談FinFET到GAA-2奈米就看他!

優分析

更新於 2025年01月05日15:54 • 發布於 2025年01月02日09:00 • 產業研究部(Frank)-優分析

淺談FinFET到GAA

隨著人工智慧(AI)技術的快速發展,特別是生成式AI、深度學習和大規模模型的應用,全球對運算能力的需求呈現指數級增長。AI需要處理龐大的數據和複雜的運算任務,例如影像分析、語音處理、自然語言生成等,對晶片的效能和功耗提出了前所未有的挑戰。為了滿足這些需求,半導體技術正進入全新發展階段,從設計到製造再到應用,整個產業鏈充滿了大量機會。

高效能晶片的需求與技術進步

半導體晶片的核心是電晶體,其數量直接決定了晶片的運算能力。從1971 年Intel 4004 僅有2300 個電晶體,到現在Apple M4 晶片已經超過280 億個電晶體,這一增長是技術進步的最佳體現。然而,為了容納更多電晶體,晶片的製程節點必須不斷縮小,從7 奈米進入3 奈米、2 奈米甚至更小。這種縮小帶來了功耗降低與效能提升,但也伴隨著了製造的難度大幅提升。

(圖片來源:台積電官網)

從FinFET(鰭式場效電晶體)到GAAFET(環繞閘極場效電晶體)

在這之中,最難解決的一個問題就是漏電流的部分,由於電晶體尺寸的縮小,源極和汲極的距離就愈近,而閘極下方的氧化物也愈薄,所以電子就越有可能會偷溜過去。

*(源極)和(汲極)分別是電子流入與電子流出的來源與出口,而(閘極)則是水龍頭的概念控制著電子的流通。

而在5奈米以下製程中,傳統的FinFET(鰭式場效電晶體)架構就會開始面臨限制,包括漏電流增加、短通道效應與結構設計瓶頸。

所以為了解決這些問題,就得使用另外一種架構:GAA(Gate-All-Around)。

GAA是透過360 度包覆通道的設計,由四面去控制電子,有別於FinFET是從三面來去控制,所以能夠提供更好的電流控制和功耗表現。

(圖片來源:天下雜誌)

而在台積電 2 奈米的製程中,就會開始使用GAA的架構,預期2025年Q4開始量產。

為什麼市場會如此關注2奈米的進度狀況?

因為 2 奈米製程技術是半導體產業的一次革命性進步,也是一個技術的極限突破,他提供更高的效能、更低的功耗以及更高的晶片密度:

1.相較於N3E在相同功耗下,運算速度提升10~15%。

2.在相同運算速度下,功耗降低25~30%。

3.且晶片密度提高 15% 以上。

這意味著對於AI、高效能運算(HPC)、5G、物聯網(IOT)等領域來說,就能夠有效降低能源的消耗,同時還能夠提升處理的運算速度,將是推動下一代產品的關鍵。

目前2奈米進度?以及市場展望?

台積電2奈米技術進展順利,新竹寶山第一廠已經於2024年6月使用輝達cuLitho平台結合AI加速風險試產流程,預計今年量產;而寶山廠第二廠則是預計在2026量產。

在高雄第一座 2 奈米廠也於2024年11月進機,比原先預定的還要快了半年以上。

至於展望,日前台積電董事廠魏哲家於法說會時說到:「詢問 2 奈米的客戶越來越多,目前客戶對2奈米需求比3奈米還高,預計產能也將會更高」

雖然近期傳出韓國媒體表示:「台積電因為 2 奈米售價過高及產能有限,輝達與高通可能轉單三星2奈米。」

但有專家表示,目前台積電試產良率基本上是60%以上,到了2025Q4真正量產時,至少也是70%以上的水準,但目前三星 2 奈米的良率一直很低,是否真的會受到客戶青睞仍是未知。

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