新一代 High-NA EUV 設備，艾司摩爾預計 2025 年量產

當前半導體製程微縮到 10 奈米節點以下，包括開始採用的 7 奈米製程，以及未來 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米製程，EUV 極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備。藉由 EUV 設備導入，不僅加快生產效率、提升良率，還能降低成本，使不僅晶圓代工業者積極導入，連 DRAM 記憶體的生產廠商也考慮引進。為了因應製程微縮的市場需求，全球主要生產 EUV 設備的廠商艾司摩爾（ASML）正積極開發下一代 EUV 設備，就是 High-NA（高數值孔徑）EUV 產品，預計幾年內就能正式量產。

根據南韓媒體《ETNews》報導，High-NA 的 EUV 設備與目前 EUV 設備的最大不同點，在於使用 EUV 曝光時，透過提升透鏡解析度，使解析度（resolution）和微影疊對（overlay）能力比現行 EUV 系統提升 70%，達到業界對幾何式晶片微縮（geometric chip scaling）的要求。ASML 利用德國蔡司半導體業務部門的技術提升透鏡解析度，就為了此目的，ASML 2016 年正式收購德國蔡司半導體業務部門 24.9% 股權。

針對下一代 High-NA 的 EUV 產品，ASML 之前也已從 3 個主要客戶取得 4 台訂單，並售出 8 台 High-NA EUV 產品的優先購買權。這些訂單中，晶圓代工龍頭台積電也是其中之一。2018 年時，台積電就宣布增加 3 億美元資本支出，為下一代 EUV 設備的預付款，也就是已預購新一代 High-NA 的 EUV 設備。針對新一代 High-NA EUV 設備，ASML 預計 2025 年正式量產。

（首圖來源：ASML）