三星推動中國西安工廠發展 286 層 NAND Flash，下半年量產
韓國媒體報導，三星計劃將中國西安工廠升級至 286 層堆疊 NAND Flash 製程，以應付市場低迷，並抵禦中國長江存儲等中國公司日益激烈的競爭。長江存儲已開始量產 294 層堆疊 NAND Flash。
BusinessKorea 報導，2023 年以來，三星就推動西安廠主流 128 層堆疊 NAND Flash 轉向 236 層堆疊。為了提升競爭力，三星決定安裝一條 286 層產線，上半年引進生產設備，下半年建成一條月產 2,000~5,000 片晶圓產線。是三星保持技術領先和長期競爭力策略的一部分。西安廠是三星唯一海外記憶體生產基地，對全球供應鏈至關重要，生產約 40% NAND Flash，升級至 286 層堆疊後，顯著增強產能。
拜登政府決定 2023 年給予三星經驗證最終用戶 (VEU)，使三星可在中國生產 200 層以上 NAND Flash，進一步在美國限制向中國出口先進半導體製造設備的製裁措施下，提供了一定的迴旋空間，這使三星能夠在面臨地緣政治緊張局勢情況下，能繼續在中國進行其先進的 NAND Flash 快閃記憶體製造流程。
報導引用市場人士說法，三星提升先進 NAND Flash 技術同時，也升級中國產線，雙重策略顯示三星還是企圖維持優勢。2024 下半年後，三星致力將 400 層堆疊 NAND Flash 用於韓國平澤一號工廠產線，2025 下半年實現初步量產。
三星公布 2024 年第四季財報時表示，加速向 236 層和 286 層堆疊發展，確保產品競爭力。儘管有進步，但 2025 年第一季每月 42 萬片 NAND Flash 產量，仍較 2024 年第四季減少約 25%，因反映受價格上漲和利率上漲等經濟因素，手機和 PC 市場需求下滑使供過於求。但 AI 資料中心等市場需求仍日益成長，推動三星專注高效能、高容量 NAND Flash 產品。
(首圖來源：三星)