台積電擬跨足記憶體？業界看3點喊誤會： 科技網站亂傳「應罰張忠謀自傳讀一百次」
近期又有科技網站亂傳台積電（2330）有意跨足記憶體，對於該議題，業界分別指出，完全是誤會，從3大關鍵來看，應該罰亂傳消息的人把張忠謀自傳讀一百次，該自傳對記憶體市場已有明確定見且是照妖鏡，就算台積電近年因應客戶需求來協助HBM4底部的 Base Die操刀或是後續因應客戶要求3D DRAM的底層Controller/Logic 或是最擅長的 3DFabric / SoIC 混合鍵合（Hybrid Bonding）先進封裝，皆並非所謂跨入記憶體。
台積電3DFabric 聯盟（TSMC 3DFabric Alliance）夥伴已包含三大記憶體原廠美光（Micron）、三星記憶體（Samsung Memory）、SK 海力士（SK hynix）以及一線載板廠等，產業分工明確。
業界說，台積電運用特殊成熟製程搭配自身先進製程提供邏輯製造服務，近年包含替客戶協助HBM 的 Base Die，這塊由台積電操刀合情合理，目前台積電與 SK 海力士、美光合作的正是這部分的「邏輯代工 + 先進封裝（CoWoS / TSV）」也不代表台積電跨入記憶體。
首先，業界也提及，若後續發展真正的 3D DRAM（Memory Cell 垂直堆疊）是指將 1T1C（一電晶體一電容） 或無電容架構的儲存單元本身做立體垂直堆疊（類似 3D NAND，但 High-k 電容深寬比與材料難度極高）。 就算未來真的走向「邏輯晶片直接 3D 鍵合堆疊 DRAM 單元」，儲存陣列（Cell Array）也是記憶體廠的專業，台積電要負責的依然是底部的 Controller/Logic 或是最擅長的 3DFabric / SoIC 混合鍵合（Hybrid Bonding）封裝，而不是跳下來自己生產記憶體。
其次，台積電創辦人張忠謀的獨特商業模式已確定台積不會去和客戶還有合作伙伴競爭，業界說，張忠謀自傳也已明確提及過去產業記憶體的教訓，過往德碁深陷 DRAM 崩盤的巨額虧損，施振榮先生請託張忠謀接手。台積電以換股方式併購德碁（以及後來的世大）接手的第一件事，不是繼續經營 DRAM，而是以最快速度把德碁的 8 吋廠改造成邏輯代工線。張忠謀果斷退場、將產能轉為純晶圓代工與特殊製程，就是深知 DRAM「賺一年、賠三年」的血淚教訓，自傳對於記憶體產業的點評已有明確論述。
業界說，依據自傳張忠謀深知標準型 DRAM 缺乏定價權，受制於嚴酷的「資本支出與報價暴跌」惡性循環。如果台積電被 DRAM 的設備折舊與庫存跌價拖累，先進邏輯製程的研發根本不可能有穩定的現金流，就算如今記憶體市況轉好台積也不可能因短期利益犧牲長期利益。
第三，值得注意的是，台積電先進製程的長期毛利率目標在 53% 以上。DRAM 具備強烈的景氣循環（Commodity Cycle）特性，即便高階客製化記憶體也是高資本、高折舊且毛利起伏巨大的業務。台積電若把產能與 CapEx 拿去鋪 DRAM Cell 產線，只會大幅稀釋 ROE與獲利率。