Snapdragon 855 ที่จะใช้ใน Galaxy S10 จะเป็นชิปเซ็ตระดับ 7 นาโนเมตร รุ่นแรก
เมื่อวันที่ 14 กุมภาพันธ์ 2018 ที่ผ่านมา Qualcomm ได้เปิดตัวชิปโมเด็ม X24 ซึ่งเป็นชิปรุ่นแรกที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 7 นาโนเมตร ซึ่งมีความเร็วในการเชื่อมต่อ 4G LTE ถึง 2 Gbps
ข้อมูลจากผู้ผลิตระบุว่า ชิปดังกล่าวจะติดตั้งในชิปเซ็ต Snapdragon 855 (อาจนำมาใช้กับ Galaxy S10) ซึ่งจะเป็นชิปเซ็ตรุ่นแรกที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 7 นาโนเมตร
Qualcomm won't say it, but their contractors do. Snapdragon 855 (SDM855) is the first 7nm SoC. (probably the one the X24 modem ends up in) pic.twitter.com/Ot1J34fQoG
— Roland Quandt (@rquandt) February 15, 2018
แน่นอนว่าชิปเซ็ต Snapdragon 855 จะต้องมีประสิทธิภาพมากขึ้นจาก Snapdragon 845 ซึ่งใช้ใน Galaxy S9 ที่จะเปิดตัวเร็วๆนี้นั้น โดยได้รับการผลิตด้วยเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร Low Power Plus ซึงมีประสิทธิภาพสูงขึ้น 10% และประหยัดพลังงานมากขึ้น 15% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร Low Power Early ที่ใช้ในการผลิต Snapdragon 835
คาดว่าชิปเซ็ต Snapdragon 855 จะได้รับการผลิตโดย TSMC ในปี 2019 โดยทาง TSMC ได้อ้างว่าชิปเซ็ตดังกล่าวนี้มีประหยัดพลังงานมากขึ้น 40% แลเพิ่มประสิทธิภาพขึ้นอีก 37%
ข้อมูลอ้างอิง : phonearena