Galaxy S26 Ultra 將透過 RAM 升級提升性能

Samsung 的下一部非摺疊旗艦智能手機 Galaxy S26 Ultra 預計將搭載 Snapdragon 8 Elite Gen 2，這將比 Galaxy S25 Ultra 的 Snapdragon 8 Elite 提供更快的性能。不僅如此，它還將透過更快的 RAM 提升性能。

在 X 平台上，@UniverseIce 指出 Galaxy S26 Ultra 將配備具備 10.7Gbps 數據傳輸速度的 LPDDR5X RAM。根據資料顯示，Galaxy S25 Ultra 使用的則是額定為 8.5Gbps 的 LPDDR5X RAM。這意味著，Samsung 的下一部非摺疊旗艦將提供比前一代快 25% 的 RAM 性能。

更快的 RAM 芯片將帶來多項優勢，包括減少加載時間和更流暢的圖形性能。2024 年 4 月，Samsung 發佈了具備 10.7Gbps 數據傳輸速度的 LPDDR5X RAM。我們推測該品牌會在 Galaxy S26 Ultra 中使用相同的自家芯片。

目前沒有其他品牌生產比 Samsung 更快的手機 RAM 芯片。基於此，Galaxy S26 Ultra 可能在競爭對手中擁有最快的 RAM。雖然 Micron 和 SK Hynix 提供 LPDDR5T，但其最高傳輸速度僅為 9.6Gbps，並不及 Samsung 的 10.7Gbps LPDDR5X。