美國擬禁 GAA 技術售大陸 法人持續看好台積電

美國計劃禁GAA尖端技術售中國大陸，法人機構表示，GAA是N3製程以下的新架構，中國大陸早已無法取得EUV機台，發展N7以下製程受限，但中國大陸積極發展自有半導體供應鏈，美國為全面防止中國大陸AI晶片，考慮禁止GAA架構流入中國大陸。

外電傳出，美國拜登政府正在考慮採取進一步的措施，以限制中國大陸取得用於人工智慧AI晶片的技術，最新會針對環繞閘極（GAA）最先進晶片架構技術，目的是令中國大陸更難於組裝建立及運行AI模型所需的複雜計算系統，期望在這尚處於萌芽階段的頂尖技術商業化之前，與中國大陸隔絕；目前美國官員仍在設計新措施的範圍。

法人機構表示，在外電消息中，目前不清楚美國官員何時做出最終決定，官員們仍在界定這個潛在新規的適用範圍，有可能這些措施不會達到徹底禁止GAA晶片出口，而是專注於製造這些晶片所需的技術。

微縮製程走到N3以下，將會面臨新的物理極限，除非改用新的結構，否則摩爾定律就很難再維持下去。當初鰭式電晶體（FinFET）的立體架構問世，就是因為平面的微縮技術在25nm以下遇到瓶頸，為持續推進摩爾定律，同時改進電力損耗的問題，因此轉採用這種立體的架構。

但FinFET架構到N3以下後也將面臨微縮的問題，過細的鰭片將會遭遇電流控制的問題，同時也會失去對某些電場效應的抗性（例如靜電），因此業界的共識是在FinFET架構上來做突破，兩種分別被名為「Nanowire FET」和「Nanosheet FET」的技術且兩個技術都會使用GAA的製程。Samsung在N3已採用GAA，台積電（2330）則在N2開始用。

分析師指出，2022年下半年美國宣布禁止對中國大陸出口生產N14以下先進製程所需的半導體設備，2023年初並與荷蘭、日本聯手，禁止極紫外光（EUV）微影設備賣給中國大陸，以阻擋其發展更先進N7以下晶片製程。

不過，美國晶片管控會讓北京更有動力研發自家的先進技術（曝光機），祭出越多限制，只會逼大陸廠商加快自己生產晶片的能力。2023年華為發表新款Mate 60 Pro高階智慧手機，就是最佳實例，即使沒有ASML極紫外光（EUV）設備，大陸也能製造先進晶片供華為使用，只是其生產過程成本更高，無法大規模量產。

所以即使阻止中國大陸拿到EUV機台，但中國大陸還是可以積極發展自有的半導體供應鏈，美國為全面防止中國大陸AI晶片發展，開始考慮禁止GAA 架構流入中國大陸。

市場法人認為，此禁令目前對整體半導體影響有限，且台積電已囊括全球大部分先進製程晶圓代工訂單，競爭力佳，持續看好後市營運表現。

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