圖/shutterstock
*美光財報季度表達方式為：2024 財年第 3 季為 2024 年 3 月第一個禮拜五到 2024 年 6 月第一個禮拜四，2024 財年第 4 季為 2024 年 6 月第一個禮拜五到 2024 年 9 月第一個禮拜四，以此類推。
*全篇財報按非美國通用會計準則 ( Non-GAAP ) 計算，由於 Non-GAAP 剔除了一次性、非常規等項目，更能反映企業的真實經營情況。
美光為全球第三大 DRAM 業者，24Q1 市占率重新站回 2 成
美光 (MU) 科技成立於 1978 年，為全球第三大 DRAM 業者，2024 年第 1 季市占率較前一季提升 2.3 個百分點至 21.5%，僅次於三星 ( 43.9% ) 及 SK 海力士 ( 31.1% )，3 家市占率合計超過 96%；NAND Flash 市占率同樣擴大，季增 1.8 個百分點以全球 11.7% 市占率超越威騰 ( Western Digital ) 拿下第 4。
美光營運版圖橫跨 17 國，主要製造及銷售 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 與 3D XPoint 等產品，但營收主要來自 DRAM ( 69% ) 與 NAND Flash ( 30% )，合計佔比達 99%；終端應用橫跨手機、PC、伺服器，也包括汽車、工業或消費性市場等。
另外，近年市況火熱的高頻寬記憶體 ( HBM ) 是 DRAM 衍生的一種高效能記憶體技術，近年來受惠 AI 對傳輸速度及儲存空間的要求而快速發展。美光跳過 HBM3，直接研發 HBM3e，與輝達 (NVDA) 攜手推動 AI 晶片與記憶體革新，成為公司營收的重要驅動力。
美光 2024 財年第 3 季獲利持續上攻
2024 財年第 3 季財報表現如下：
營收 68.1 億美元 ( 季增 17% / 年增 82% )
略高於公司財測 64 ~ 68 億美元區間上緣
- 優於市場預期的 66.7 億美元
- DRAM 營收 46.9 億美元 ( 季增 13% / 年增 76% )
平均銷售價格 ( ASP ) 季增約 20%
[* 位元出貨量季減 4~ 6% ]- NAND Flash 營收 20.7 億美元 ( 季增 32% / 年增 104% )
平均銷售價格 ( ASP ) 季增約 20%
[* 位元出貨量季增 7~9% ]毛利率 28.1% ( 季增 8.1 個百分點 / 年增 44.2 個百分點 )
優於公司財測 25% ~ 28% 區間上緣
EPS 0.62 美元 ( 季增 48% / 去年同期 EPS -1.43 美元 )
高於公司財測 EPS 0.38 ~ 0.52 美元區間上緣
- 優於市場預期 EPS 0.53 美元
美光 2024 財年第 3 季營收及 EPS 皆優於公司財測及市場預期，主因產品組合轉佳及產業供需狀況改善帶動記憶體平均銷售價格上升。在 AI 的帶動下，高毛利率產品如高頻寬記憶體 ( HBM )、高密度 DIMM 及資料中心用的 SSD 市占率皆有所提升，使資料中心相關營收季增 50%，獲利走揚。其中，美光 HBM3e 在 2024 財年第 3 季營收貢獻約 1 億美元。
HBM 激起漣漪，預估 2024 下半年 DRAM 報價續漲
供給端部分，美光為搶下高毛利產品 HBM 市占率，產能將轉進生產 HBM3e。由於 HBM3e 與 DDR5 皆使用 1 beta 製程，DDR5 產能將受到排擠。因此，儘管手機及 PC 需求成長有限 ( 預估 2024 年低個位數成長 )，但預期 2024 財年位元供給成長率將低於需求，可望促使 DRAM 價格漲勢延續至 2024 年底 ( 美光 2025 財年第 1 季 )。
根據 Trendforce 預測，2024 年第 3 季傳統 DRAM 季漲幅約為 5 ~ 10%，HBM 售價則有機會季增 8 ~ 13%。第 4 季則預估在產能排擠下，傳統 DRAM 將續漲 3 ~ 8%；NAND Flash 方面，預估第 3 季合約價上揚 5 ~ 10%，第 4 季僅 Enterprise SSD 續漲，其餘產品則可能微幅下跌。
美光 2024 財年第 4 季財測差強人意，盤後股價重挫近 8%
美光 2024 財年第 4 季財測如下：
營收 74 ~ 78 億美元
季增約 12% / 年增 90% ( 以預估區間中點 76 億美元計算 )
- 略高於市場預期的 75.8 億美元
毛利率 33.5% ~ 35.5%
季增約 6.4 個百分點 / 年增 43.6 個百分點 ( 以預估區間中點 34.5% 計算 )
EPS 1.00 ~ 1.16 美元
季增約 74% / 較去年同期由虧轉盈 ( 以預估區間中點 1.08 美元計算 )
- 略高於市場預估的 1.04 美元
展望未來，美光營收及獲利將受惠記憶體產業改善而提升，加上 HBM 產能於 2024 / 2025 年早已銷售一空，支持美光加大投資力道，提高資本支出。公司上調 2024 財年資本支出至 80 億美元 ( 先前預估為 75~80 億美元區間 )，將火力集中在 HBM 封測、製程升級及美國本土晶圓廠無塵室，前段晶圓設備投資維持年減 ( 含導入 EUV 及升級先進製程 )，並預期 2025 財年資本支出可望超過 120 億美元。
儘管記憶體產業市況火熱，美光獲利攀升尚未到達終點，但公司公布財報後盤後股價仍下跌近 8% 至每股 131 美元，推測為投資人對 HBM 及記憶體產業的期待大幅提升，公司財測卻差強人意，加上股價位階偏高，因而跌幅較重。
美光基本面雖依舊光明，但股價漲多承壓，需靜待拉回再擇機布局
回顧【美股研究報告】記憶體風光時刻，美光 2024 財年第 2 季由虧轉盈，盤後飆逾 18%！一文所述，判斷美光基本面良好，產業景氣位於上升週期，加上技術面佳，建議買進之後股價最高漲幅超過 60%。
時至今日，美光基本面依舊光明，包括價格趨勢正向、產品組合轉佳將提升美光獲利能力，但股價已初步反應上述利多，需要新的催化劑才有機會挑戰新高，例如終端產品規模升級更有感、HBM 對毛利率貢獻更顯著、HBM 市占率明顯擴大、新技術及高階製程產量進度良好等。
回到技術面部分，美光在急速上漲後，6/20 出現帶量下跌。所謂行情的極點，可能成為市場的拐點，因短線多方籌碼已經買進，後面沒有後續火力補充，甚至部分籌碼已有一定的盈利空間，因而選擇獲利了結，故短期創新高的難度較大。
儘管如此，美光仍處產業上升循環中，股價修正實屬健康現象，雖短期可能進入休息階段，但考量 HBM 依舊處於供不應求，記憶體報價可望持續上升，獲利還有成長空間，長期依然看多，因此可觀察以下兩個支撐區：130 美元、105 美元。
若能在第一支撐區 130 美元止穩，則持股續抱；若跌破 130 美元，則短期多頭趨勢可能告一段落，進入橫盤整理階段，波段投資者可進行獲利了結，下方第二支撐區則看到 105 美元，若止穩可逢低布局。
延伸閱讀：
【美股研究報告】記憶體風光時刻，美光 2024 財年第 2 季由虧轉盈，盤後飆逾 18%！
【美股新聞】HBM需求飆升推動DRAM價格上漲，美光正在擴大產能！
版權聲明
本文章之版權屬撰文者與 CMoney 全曜財經，未經許可嚴禁轉載，否則不排除訢諸法律途徑。
免責宣言
本網站所提供資訊僅供參考，並無任何推介買賣之意，投資人應自行承擔交易風險
留言 0