突破美國制裁封鎖，華為與武漢新芯合作開發 HBM 挑戰市場

韓國朝鮮日報報導，中國華為計劃與記憶體廠武漢新芯合作製造高頻寬記憶體（HBM），正在發展 CoWoS 的江蘇長電科技和通富微電子也有參與。華為開始研發 HBM，顯示華為積極突破美國制裁。

CoWoS 是高精度技術，能將圖形處理單元 (GPU) 和 HBM 晶片堆疊在單基板上，提高運算效能，節省空間與降低功耗。台積電 CoWoS 已用於 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) AI 晶片。

2023 年 5 月路透社報導，中國主要 DRAM 記憶體公司長鑫存儲 (CXMT) 與通富微電子合作開發 HBM 樣品，美媒 The Information 更報導，以華為為主的中國企業將在 2026 年前量產 HBM。2023 年 3 月武漢新芯宣布興建 HBM 工廠，每月可生產 3,000 片 12 吋晶圓。

中國仍在 HBM 早期階段，但美國限制下，華為與中國半導體公司進軍 HBM 引起分析師和市場人士關注。因韓國 SK 海力士和三星控制了大部分 HBM 市場，華為欲進入 HBM 市場還有很長的路要走。

(首圖來源：武漢新芯)

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