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理財

中國長鑫存儲 DDR5 良率達 80%,還力拚 2025 年少量生產 HBM2

科技新報

更新於 01月03日09:55 • 發布於 01月03日09:30

外媒報導,中國第三方記憶體模組製造商開始銷售中國長鑫存儲(CXMT)生產的 DDR5 晶片的 DDR5 DRAM 記憶體模組。長鑫存儲是中國最大唯一製造 DDR4 / LPDDR4 廠商,現在終於切入 DDR5 / LPDDR5 生產,國際大廠關注是否傾銷海外,動搖市場生態。

外媒 Techpowerup 報導,花旗集團分析,長鑫存儲 DDR5 良率獲重大進展,達約 80%,與最初量產 50% 相比大幅提升,主要建立在長鑫存儲 DDR4 經驗上,DDR4 晶片良率達 90% 左右。

長鑫存儲在合肥營運兩座晶圓廠,Fab 1 專門生產 DDR4 晶片,採 19 奈米,月產能 10 萬片晶圓。Fab 2 用 17 奈米製程,生產 DDR5 晶片,月產能 50,000 片晶圓,到今年底良率會拉升到 90%。

雖長鑫存儲技術和良率提高不少,但與領導者相較還是有差距。三星和 SK 海力士等已導入 12 奈米生產 DDR5 晶片,技術差距導致長鑫存儲產品功耗更高,尺寸也沒那麼緊湊。長鑫存儲客戶主要是國內,搭載於 PC 和智慧手機。

長鑫存儲會繼續擴展 DDR5 性能和產能,同時繼續推動 HBM 開發。長鑫存儲已在 HBM2 取得進展,正在客戶送樣階段,2025 年中期開始少量生產 HBM2 晶片。

(首圖來源:長鑫存儲)

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