國內化合物半導體再添生力軍，碳化矽（SiC）新創格棋化合物半導體10月23日舉辦中壢新廠落成典禮，並宣布與國家中山科學研究院（中科院）、日本三菱綜合材料商貿簽署合作協議。
格棋化合物半導體董事長、身兼電池芯廠格斯科技董事長的張忠傑在致詞中提到，格棋從8年前開始從事碳化矽長晶研究工作，並於近1年內完成百台6吋長晶爐、20台8吋長晶爐建置，目前已經開始小批量出貨至國內外供應商，中壢新廠的落成為格棋發展重要里程碑。
新廠投資6億，6吋碳化矽晶片月產能達5千片
針對新落成的中壢新廠，格棋表示，該廠投資金額約6億元，在產能規劃上，今年底將達到100台6吋長晶爐、20台8吋長晶爐規模，其中6吋月產能可達5,000片，預計2024年第四季達到滿產，現已向3~5家國內廠商送樣驗證。8吋長晶爐方面，2025年底將擴產達200台，目標2028年6吋／8吋長晶爐合計達上千台，配比將依市場需求調整。
成立於2022年的格棋化合物半導體，於去年10月完成新台幣15億元A輪募資，專注於化合物半導體長晶技術研發及製造，掌握的核心技術包括熱場設計、籽晶沾黏、原料粒徑及碳矽比控制等。主要經營團隊來自去年登錄興櫃的格斯科技，董事長張忠傑及執行長葉國偉，分別是格斯科技董事長與技術長。
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對於格棋化合物半導體及格斯科技之間的關係，張忠傑指出，兩家公司各自獨立發展、又互相奧援，在材料開發及團隊運營可彼此協助，縮短學習曲線，雙方有五分之三的董事重疊，不排除未來任何未來投資及合作的可能。
瞄準非中供應鏈，與國際大廠合作持開放態度
全球碳化矽市場近年因中國產能大量開出、電動車需求不如預期等因素，造成報價直墜，作為市場新進者的格棋如何因應？
葉國偉指出，國內外碳化矽市場逐漸從6吋轉向8吋，各家廠商速度不一，換代的過程具一定技術門檻，而格棋自2、3年前開始投入8吋技術培養，有望明年開始放量到一定程度及送樣。
葉國偉並提到，中系業者目前確實有一定的實力往全世界去做滲透，不過地緣政治亦可能為台廠帶來機會，例如歐美業者希望尋求非中供應鏈。他並指出，格棋作為新創公司有較大彈性，對於和國際大廠合作抱持開放態度，並將持續提升技術、產品質量及成本，未來直面中國廠商競爭。
攜手中科院、三菱綜合材料，開發高頻通訊碳化矽元件、攻日本市場
在新廠落成之際，格棋也宣布和中科院簽署合作協議，取得中科院「半絕緣碳化矽長晶技術」專利授權，將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，應用場域包括5G/B5G通訊、車用、微波通訊晶片等。
另一方面，格棋並和日本三菱綜合材料商貿簽署合作協議，瞄準電動車、綠能、功率半導體等應用，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（wafer）及磊晶片（EPI wafer）材料，格棋則負責整合台灣合作夥伴資源，雙方將一同進軍日本市場，拓展產品出海口。
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責任編輯：李先泰
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