研調機構 TrendForce 今 (21) 日釋出 2025 年科技變革新機遇的十大趨勢，其中兩大為 2025 年 AI 伺服器出貨將成長逾 28%，且在先進製程與 AI 推動下，半導體技術及 CoWoS 需求迎來革新與大幅增長。
研調指出，受惠 CSP 及品牌客群積極建置 AI 基礎設施，2024 年全球 AI 伺服器 (含搭載 GPU、FPGA、ASIC 等) 出貨成長可達 42%，2025 年在 CSP 及主權雲等高需求下，AI 伺服器出貨年增率可望超過 28%，占整體伺服器比例達 15%。
隨輝達 B300、GB300 採用 HBM3e 12 層，2025 年起 12 層將躋身產業主流，SK 海力士在 12 層世代採用 Advanced MR-MUF 技術，在每層晶粒堆疊時添加中溫的 Pre-bonding 製程，並改良 MUF 材料，拉長製程時程以達成晶粒翹曲控制。
三星與美光在 12 層世代沿用 TC-NCF 堆疊架構，該技術的優勢為易於控制晶粒翹曲，惟須承受製程時間較長、累積應力較大、散熱能力較差等劣勢，在量產時的良率拉升速度面臨較大不確定性。
由於 12 層的採用預計自 HBM3 延伸至 HBM3e、HBM4、HBM4e (2027-2029 年)，量產的時間跨度長，如何提升並穩固 12 層製程的量產良率，明年將成為供應商的重中之重。
另外，2025 年在先進製程與 AI 推動下，半導體技術及 CoWoS 需求迎來革新與大幅增長。隨著晶圓廠前段製程發展至 7 奈米製程導入 EUV 微影技術後，FinFET 結構自 3 奈米開始逐漸面臨物理極限，先進製程技術自此出現分歧。
台積電 (2330-TW)(TSM-US) 及英特爾 (INTC-US) 延續 FinFET 結構，並於 2023 年量產 3 奈米產品，三星則嘗試由 3 奈米首先導入基於 GAA FET (Gate all around Field Effect Transistors) 的 MBCFET 架構 (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)，並於 2022 年正式量產，但至今未放量。
進入 2025 年後，台積電 2 奈米正式轉進奈米片電晶體架構 (Nanosheet Transistor Architecture)，英特爾 18A 則導入帶式場效電晶體 (RibbonFET)，三星仍致力改善 MBCFET 3 奈米製程，力拚 2025 年實現規模量產，三方正式轉進 GAAFET 架構競賽，期盼藉由四面接觸有效控制閘極，為客戶帶來更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。
AI 應用造成客製化晶片及封裝面積的需求日益提升，同步推升 2025 年 CoWoS 需求。觀察明年 CoWoS 市場重要發展態勢，一是 2025 年輝達對台積電 CoWoS 需求占比將提升至近 60%，並驅動台積電 CoWoS 月產能於年底接近翻倍，達 7.5-8 萬片。
再者，輝達 Blackwell 新平台 2025 年上半年逐步放量後，將帶動 CoWoS-L 需求量超越 CoWoS-S，占比有望逾 60%。最後則是，CSP 積極投入 ASIC AI 晶片建置，AWS 等在 2025 年對 CoWoS 需求量亦將明顯上升。
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