長鑫存儲母公司斥 24 億美元蓋新先進封裝廠，預期 2026 年投產

中國記憶體大廠長鑫存儲母公司睿力集成電路有限公司計劃投資至少 171 億人民幣（約 24 億美元）在上海建造一座先進封裝廠。

根據上海市政府官方文件，睿力集成 6 月與當地政府簽署合約，獲得土地，新廠預計 2026 年中投產。新廠將專注於各種先進封裝技術，如用矽穿孔（TSV）互連實現記憶體堆疊，預計將具備每月 3 萬件的封裝能力。

睿力集成將利用包括兆易創新在內多個投資者資金來建廠。根據兆易創新 3 月提交的文件，今年睿力集成與多間投資人達成協議，融資總額高達 108 億人民幣。

如果消息屬實，長鑫存儲負責生產 HBM DRAM 晶片，睿力集成則將其進行堆疊。此外，這座先進封裝廠可能不只提供 HBM 記憶體，也可能是其他先進封裝服務。

中國需要自己的 HBM 記憶體，先前有消息指出，長鑫存儲與晶片封測公司通富微電合作開發 HBM 晶片樣品，另外中國科技巨頭華為目標是到 2026 年與其他國內公司合作生產 HBM2 晶片。也因此，這筆投資能否提升中國半導體能力，特別是先進封裝能力，仍有待觀察。

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（首圖來源：長鑫存儲）

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