韓國朝鮮日報報導，三星 DS 部門記憶體業務部最近完成 HBM4 高頻寬記憶體邏輯晶片的設計，Foundry 業務部方面也已經根據該設計，採 4 奈米試產。待完成邏輯晶片的最終性能驗證後，三星將提供 HBM4 樣品驗證。
邏輯晶片也稱基礎裸片，對整體 HBM 堆疊發揮大腦作用，負責控制上方多層 DRAM 晶片。HBM4 世代，記憶體堆疊 I/O 引腳數量倍增，需整合更多功能等一系列因素，使得全球三大記憶體原廠均採用邏輯半導體代工製造來邏輯晶片。
報導引用韓國市場人士說法，執行工作時發熱是 HBM 最大敵人，而在堆疊整體中邏輯晶片更是發熱大戶，採先進製程有助改善 HBM4 能效與性能表現。
三星試圖 HBM4 採取更積極路線，以挽回 HBM3E 流失的 HBM 市佔。除自家 4 奈米製造邏輯晶片外，HBM4 還導入10 奈米級 1c 製程生產 DRAM，有望 16 層堆疊導入無凸塊混合鍵合。
(首圖來源：shutterstock)
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