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中稱可製8奈米晶片被打臉! 乾式DUV精度只有65奈米 是ASML18年前水準

新頭殼

更新於 1天前 • 發布於 1天前 • Newtalk新聞 |李志良 綜合報導
中國國家主席習近平視察晶片行業,要求在美國的科技封鎖下達成晶片自主。 圖:翻攝自新華社
中國國家主席習近平視察晶片行業,要求在美國的科技封鎖下達成晶片自主。 圖:翻攝自新華社

Newtalk新聞

中國最近高興宣稱已突破 8 奈米的晶片製程,卻慘遭自家中媒打臉說晶片的精度其實只有 65 奈米。

中媒《芯智訊》近日報導,有人一看到中國國產光刻機「套刻 ≤8nm」就認為這是 8nm,高興宣傳「可生產 8 奈米晶片」,突破美國封鎖,其實是錯誤的。

中共工信部於 9 月初公佈「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄」,列出全新自製 DUV 光刻機,解析度為 ≤65nm,「套刻精度」 ≤8nm。

《芯智訊》解釋說,氟化氪光刻機其實就是老式的 248nm 光源的 KrF 光刻機,解析度為 ≤110nm,套刻精度 ≤25nm;披露的這款是乾式 DUV 光刻機,而非更先進的浸沒式 DUV 光刻機(也被稱為 ArFi 光刻機)。

由中國工信部的參數顯示,此DUV 光刻機解析度為 ≤65nm,套刻精度 ≤8nm,仍並未達到可以生產 28 奈米晶片的程度。

 荷蘭半導體製造商 ASML 的光刻機。 圖 : 翻攝自 ASML 官網
荷蘭半導體製造商 ASML 的光刻機。 圖 : 翻攝自 ASML 官網

《芯智訊》批,不要把「套刻精度」跟「光刻製造製程節點」水準搞混了。「光刻精度」是光刻機的解析度,65nm 的解析度單次曝光能夠達到的工藝製程節點大概就在 65nm 左右。「套刻精度」則指的是每一層光刻層之間的對準精度。

《芯智訊》指出,這個 65nm 的光刻解析度、「套刻精度」 ≤8nm,最多能夠做到 55nm 製程。

這水準,荷蘭ASML( 艾斯摩爾 )公司 18 年前推出的 XT:1450 早就已經做到了。

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受美國政府擴大對中國晶片禁令影響,為維持營運,中國晶片製造商中芯國際(SMIC)在去年 11 月份就宣布將增加 16 億美元的支出,提高訂購設備的預付金。   圖:翻攝自中芯國際官網(資料照)
受美國政府擴大對中國晶片禁令影響,為維持營運,中國晶片製造商中芯國際(SMIC)在去年 11 月份就宣布將增加 16 億美元的支出,提高訂購設備的預付金。 圖:翻攝自中芯國際官網(資料照)
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留言 28

  • Hsieh
    哀哀幹麻這麼早戳破 中國賤畜跟低智商親中仔們才剛脫褲子自慰到一半而已 現在就叫人家把褲子穿回去,記者有沒有良心阿
    1天前
  • lucky Star
    腦殘426小粉紅:我們偉大的國都是手刻晶片呢😮‍💨😮‍💨😮‍💨🤣🤣🤣
    1天前
  • 達子
    嘴砲強國
    1天前
  • Dio
    用手就可以搓出8奈米 你們敢嘴?
    1天前
  • joe
    沒有人這樣拿晶片的啦,那一塊準備報廢
    1天前
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