【美股新聞】三星高頻寬記憶體未通過輝達測試，市場憂慮增加！

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放大鏡短評

三星近期在HBM3和HBM3E並未通過輝達的測試，主要問題是在於散熱能力不佳，儘管三星表示會對商品進行後續改良，卻將因此落後競爭對手SK海力士與美光的訂單量，不論是對於三星本身的技術進程或是獲利皆是不利的，記憶體業務作為三星主要的營收部門，受到DRAM價格波動，獲利不斷受壓，股價在24Q1表現不盡人意，儘管拿下了AMD的訂單，是否能盡快改善發熱問題，拿下輝達訂單是三星現在的首要任務，而若三星在HBM的供給出問題，恐導致輝達下一季出貨量受到影響，基於HBM在技術與產量上皆追不上AI進程，三星的出貨將牽動AI供應鏈包括輝達、美超微等等，因此建議投資人密切關注相關資訊。

新聞資訊

三星的高頻寬記憶體(HBM)產品未能通過輝達的測試，特別是HBM3和HBM3E版本，這使得三星在與競爭對手SK海力士和美光的競爭中面臨更多挑戰。儘管三星正在與客戶合作優化產品，但市場對其能否迅速滿足輝達需求抱有疑慮。這一情況反映出高頻寬記憶體市場的競爭激烈，特別是在AI需求驅動下，對性能和可靠性的要求更高。

測試結果

• 測試失敗: 三位消息人士稱，三星自去年以來一直未能通過輝達對HBM3和HBM3E的測試，最近一次的失敗結果在4月公布。
• 發熱問題: 8層和12層HBM3E晶片的測試失敗主要因發熱問題，尚不清楚能否容易解決。

市場影響

• 競爭壓力: 測試未通過增加了三星可能進一步落後於SK海力士和美光的擔憂，這兩家公司在高頻寬記憶體市場具有競爭優勢。
• 市場預期: 由於AI需求激增，市場對HBM的需求也在增加，預計今年HBM市場將增長超過一倍，達到近90億美元。

公司反應

• 三星聲明: 三星表示HBM是訂製產品，需要根據客戶需求進行優化，並正在與客戶密切合作。三星拒絕對特定客戶發表評論。
• 高層變動: 三星本週換掉半導體部門負責人，顯示出對在HBM市場中落後地位的擔憂。

其他供應商

• 輝達未置評: 截稿前，輝達拒絕對此事發表評論。
• AMD合作: 儘管未能成為輝達的供應商，三星已向AMD供貨，並在2024年第一季通過AMD MI300系列的驗證。

專家觀點

Jeff Kim: KB證券研究部門主管表示，市場對三星能迅速通過輝達測試抱有很高期望，但像HBM這樣的專業產品需要時間來滿足客戶效能評估。

HBM技術背景

• 技術優勢: HBM是高性能DRAM標準，晶片垂直堆疊以節省空間和降低功耗，適用於處理AI應用的大量數據。
• 市場需求: 隨著生成式AI熱潮中對複雜GPU需求激增，HBM需求也隨之上升。

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