國研院攜手汎銓科技 助攻半導體先進製程材料驗證

記者郭曉蓓／臺北報導

國研院國儀中心攜手國內頂尖半導體材料分析大廠汎銓科技今（27）日宣布重大技術突破，雙方成功攻克新一代「高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）」製程後結構分析技術瓶頸，共同推進「類FAB（晶圓廠）產線環境」生產驗證，打造下世代保護膜技術，全面提升材料與元件分析精準度。這項成果助力臺灣廠商打入國際半導體大廠供應鏈，搶攻1.4奈米、1奈米及未來埃米世代新材料商機，展現臺灣在半導體製程材料檢測與驗證領域的強大研發能量。

國研院說明，「高數值孔徑極紫外光」是新一代的先進半導體微影技術，相較傳統極紫外光，無須多重曝光即可刻出更細小的電晶體，在晶片製作更細的線，讓晶片更快又更省電。新世代半導體製程尚在發展階段，其微影製程後的晶圓結構品質與尺寸精度有更高的要求，因此必須透過精密檢測技術，將晶圓剖開，分析使用「高數值孔徑極紫外光」與「金屬氧化物光阻劑」微影曝光後的晶圓化學變化與奈米結構，協助光阻材料的開發最佳化，也能加速下一代先進半導體微影製程的發展。

但微影曝光後直接剖開晶圓進行分析，容易造成在晶圓上已經製作好的奈米結構變形與材料界面破壞。若能在檢測前，先在晶圓表面鍍一層膜，讓整體結構變得堅固，即可避免剖開晶圓時造成損傷。此次國研院轄下國儀中心與汎銓科技合作，雙方成功攻克新一代「高數值孔徑極紫外光」製程後結構分析技術瓶頸。

國研院說明，國儀中心領先全臺，研發操作溫度低於100℃的原子層沉積(ALD)鍍膜設備，模擬先進製程條件，打造「類FAB產線環境」生產驗證；並攜手汎銓科技，突破光阻瓶頸，開發低溫ALD覆蓋技術，成功在金屬氧化物光阻劑（MOR）等新世代材料表面形成均勻且緻密的奈米級保護層，強化晶圓上的奈米結構，減少後續分析過程對材料結構造成的損傷，提升分析準確性

國研院表示，這是全球首度成功應用於相關製程的鍍膜技術，有助克服材料分析瓶頸，也是半導體製程邁向2奈米線寬過程中，必須克服的重大難關之一。此成果協助臺灣廠商打入全球大型半導體設備商與製造商的製程供應鏈，展現臺灣在半導體製程材料檢測與驗證領域的強大研發能量。