台積電狂砸逾 600 億美元擴充 2 奈米與 3 奈米，連 ASML 次世代光罩都提早卡位
台積電砸重金擴充先進製程，2026年資本支出上看640億美元，力拼2奈米與3奈米產能大躍進。為確保絕對領先，台積電持續優化先進製程並超前部署2奈米與3奈米技術，攜手合作夥伴攻克埃米節點…
面對生成式人工智慧（AI）算力狂潮與旗艦手機晶片對尖端製程的渴求，半導體製造龍頭台積電（TSMC）再次展現產能壓制力。業界最新消息傳出，台積電正全面加速 2 奈米與 3 奈米晶圓產能擴充腳步，預計 2027 年中產能將分別迎來兩成左右的大幅躍升。
同時，美國亞利桑那州二廠也表定於 2027 年下半年正式開出 3 奈米產能。為了支撐這場晶圓代工史上規模空前的產能競逐，台積電不僅將 2026 年資本支出大幅推升至 600 億到 640 億美元的高峰，更提早聯手艾司摩爾（ASML）啟動次世代 High-NA EUV 光罩規格升級，展現從埃米節點到全球擴廠的全面壓制企圖。
先進製程產能為何非擴不可？
盤點台積電近期的產能排程，AI 伺服器晶片與頂級行動裝置客戶幾乎包辦了所有能拿到的 3 奈米家族配額。為了化解各家爭搶產能的燃眉之急，台積電傳出將在 2027 年中讓 2 奈米與 3 奈米產能分別交出 22% 與 16% 的逐季增長成績單。背後驅動力正是那張高達 600 億至 640 億美元的 2026 年資本支出預算表——其中高達七至八成的重資產投入，全部精準砸向先進製程。這不僅打破以往晶圓廠在製程轉換期的保守投資節奏，更顯示出台積電對高效能運算（HPC）客戶長線訂單續航力的極度篤定。
值得玩味的是，台積電早在今年 4 月便已著手將部分成熟運作的 4 奈米設備改造成 3 奈米產線。這類「在飛行中換引擎」的動態產能轉換，反映出市場對 3 奈米極致效能與功耗比的飢渴程度，已遠遠超越過往世代交替的過渡曲線。
亞利桑那廠 2027 接棒
在地緣政治風險與供應鏈韌性的雙重推力下，台積電位於美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠區，始終是全球半導體版圖緊盯的試金石。依照最新藍圖，亞利桑那廠計劃於 2027 年下半年正式啟動 3 奈米製程量產，與台灣本土擴產腳步形成跨洋接力。
在美國建立先進製程聚落絕非易事，偏高的營建與營運成本、工會與文化摩擦，以及在地先進封裝生態鏈的欠缺，都曾引發外資機構對毛利率可能承壓的疑慮。然而，藉由將成熟的 3 奈米量產經驗移植海外，台積電不僅能正面滿足蘋果（Apple）、超微（AMD）等美系巨頭的在地採購承諾，更試圖將先進產能的定價溢價轉化為難以撼動的商業護城河。
對北美科技巨擘而言，多付一至兩成溢價買一張「去地緣風險」的在地製造保單，在目前動盪的國際供應鏈博弈中早已不再是虧本買賣，而是確保旗艦產品不致斷鏈的最高策略底線。
不只衝刺 A16 埃米節點，攜手 ASML 把光罩放大成關鍵一步
當外界焦點多數仍停留在 2 奈米的量產時程時，台積電的研發矛頭已直接指向 A16、A14、A13 甚至 A12 等埃米（angstrom）級全新節點。
為了攻克埃米世代極其嚴苛的物理極限，台積電日前與半導體微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）宣布展開深度技術結盟，目標直指次世代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）技術。雙方最具戰略意義的技術合作，在於推動將長年沿用的 6 吋光罩規格，一舉推進至面積大上一倍的 12 吋光罩。這項微影架構的底層革新，旨在化解 High-NA EUV 變形放大率所導致的「單次曝光面積減半」痛點，避免晶片設計業者因複雜拼接而付出龐大的光罩成本與良率代價。
從 6 吋推進到 12 吋光罩，聽起來只是尺寸的倍增，實質上意味著整套晶圓傳送系統、光罩盒以及曝光機內部的光學路徑全得砍掉重練。台積電提早卡位標準制定，正是為了在更為險峻的埃米世代中，徹底封死對手任何可能彎道超車的縫隙。