國研院攜手汎銓 攻克High-NA EUV製程檢測技術
國科會轄下國研院國儀中心今(27)日攜手材料分析大廠汎銓(6830-TW)發表「高數值孔徑極紫外光」(High-NA EUV)光阻材料微影製程的結構分析技術，透過鍍膜強化晶圓上的奈米結構，用於後續檢測分析，也是2奈米製程的關鍵檢測突破。
國研院表示，此次為全球首度針對此製程成功鍍膜的研究成果，相關技術已獲全球極紫外光微影設備龍頭艾司摩爾於國際學術論壇引用，並協助汎銓打入國際大型半導體設備商與製造商的製程驗證分析服務供應鏈，展現台灣在先進半導體材料檢測與驗證領域的研發實力。
隨半導體製程持續朝埃米(Angstrom)級別微縮，極紫外光(EUV)微影技術已進一步發展為更高階的「高數值孔徑極紫外光」 ，才能在半導體晶圓上製作更細的電流通道，而「金屬氧化物光阻劑」(MOR)搭配「高數值孔徑極紫外光」微影技術的關鍵材料之一，兩者結合可以製作出更細、更精準的電路圖案，電路邊緣也更平滑，有助於提升半導體製程效能與良率。
其中新世代微影製程對結構品質與尺寸精度的要求更高，需要透過精密檢測，剖析微影曝光後的化學變化與奈米結構，作為光阻材料最佳化及製程開發的重要依據，然而若直接剖開晶圓進行分析，容易使既有奈米結構變形，或破壞材料界面，影響檢測結果。這就像切開鬆軟的蛋糕時，蛋糕體容易崩塌；若能事先在晶圓表面鍍上保護膜、強化結構，就能降低剖面分析過程造成的損傷。
另為了解決產業需求，國儀中心整合儀器設備開發經驗與真空製程核心技術，建置「先進半導體材料分析技術研發平台」，透過原子層沉積設備與技術，提供高品質鍍膜服務；汎銓則結合客戶端的分析需求，運用國儀中心客製化開發的設備，針對不同材料與分析情境調整製程參數。
國研院指出，光阻材料鍍膜需要低溫製程條件，國儀中心已開發出操作溫度低於攝氏100度的原子層沉積鍍膜設備，並與汎銓在前驅物測試、製程參數控制及設備腔體設計等方面取得突破。
國科會表示，透過雙方合作開發的原子層沉積覆蓋分析技術，團隊成功在金屬氧化物光阻劑表面形成均勻、緻密的奈米級保護層，有效降低分析損傷，使檢測結果更能反映材料與結構的真實狀況。
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