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特斯拉AI晶片藍圖曝光!Dojo D3導入HBM、SI6效能拚提升80倍、採2奈米製程

anue鉅亨網

更新於 1天前 • 發布於 1天前
圖:Pixabay/Unsplash/Pexel

特斯拉(TSLA-US) 公布最新人工智慧(AI)加速器發展藍圖,揭露未來數年晶片研發方向。其中,第六代推論加速器SI6預計將於2029年至2030年推出,運算效能較現行第四代晶片提升80倍,記憶體容量也將大幅增加;另一方面,重新啟動的第三代Dojo訓練加速器D3,則將改採多晶粒(Chiplet)設計,結合2.5D、3D封裝技術及堆疊式高頻寬記憶體(HBM),不再沿用前兩代以SRAM為核心的架構。

根據《Tom’s Hardware》報導,特斯拉也開始以「超級智慧」(Super Intelligence,SI)取代人工智慧(AI)稱呼新一代加速器,並將晶片重新命名為SI系列。

執行長馬斯克近期也證實,SpaceX(SPCX-US) 旗下SpaceXAI將更名為SpaceXSI。

Dojo D3重新登場 轉向多晶粒與HBM架構

特斯拉Dojo訓練晶片計畫再度出現在發展藍圖中。馬斯克2025年8月曾取消整個晶圓級Dojo專案,2026年8月又表示,SpaceX與xAI將在地面及太空資料中心全面採用輝達(NVDA-US) 硬體。

最新藍圖顯示,特斯拉仍規劃推出第三代Dojo D3,但設計將與前兩代大不相同。

特斯拉指出,D3將採用多晶粒架構,整合2.5D與3D封裝技術,並搭配堆疊式HBM。這與第一代Dojo D1的晶圓級系統整合(System-on-Wafer)設計形成明顯差異。D1透過晶圓級封裝技術,將25顆D1處理器互連,整合約11GB SRAM,仰賴分散式晶片內記憶體運作。

報導指出,改用HBM,反映特斯拉可能希望大幅擴充記憶體容量。隨著AI模型規模持續擴大,模型參數、啟動值及中間運算資料都需要大量記憶體儲存,SRAM在容量方面的限制也愈發明顯。

HBM則有助於擴充記憶體,但在延遲、頻寬、封裝及功耗方面,也會帶來不同的設計取捨。

目前尚不清楚特斯拉是否完全放棄晶圓級整合。理論上,客製化HBM仍可堆疊在透過晶圓級封裝互連的邏輯晶粒上,但這種設計將增加散熱、製造、良率及長期可靠性等挑戰,也會推高成本。

由於晶圓級整合本身成本高昂,若再結合HBM堆疊,設計與製造複雜度將進一步增加,因此D3採用較傳統多晶粒架構的可能性相對較高。

特斯拉尚未公布D3的運算效能、記憶體容量、製造製程或開發時程。不過,該公司表示,Dojo D3將針對「太空、訓練及規模擴展」進行最佳化,代表該晶片將具備一定的運算效能,且易於擴充,也進一步顯示其設計可能採用較傳統的加速器架構,而非晶圓級封裝技術。

更值得注意的是,D3也將針對外太空部署環境進行最佳化,這可能代表至少部分產品型號將採用抗輻射強化設計。

SI6運算效能拚80倍 預計2029至2030年問世

另一項重要進展,是特斯拉首次揭露第六代推論加速器SI6的預估效能。根據最新藍圖,SI6的運算能力將達現行第四代晶片HW4的80倍,記憶體容量則為HW4的9倍。

依據HW4運算效能的不同估算方式,SI6的運算效能可能介於17,280至46,080 TOPS(每秒兆次運算),相當於17.28至46.08 POPS(每秒千兆次運算)。不過,目前尚不清楚SI6支援哪些資料格式,因此上述數字只是推估值。

作為比較,輝達Rubin GPU的推論效能達50 NVFP4 PFLOPS,訓練效能為35 NVFP4 PFLOPS,FP8/FP6效能則為17.5 PFLOPS。不過,Rubin已開始出貨,SI6則預計要到2029年至2030年才會推出,兩者上市時程存在明顯差距。

目前特斯拉車款搭載的第四代推論處理器,最初稱為HW4,之後更名為AI4,現又改稱SI4。

該晶片由三星晶圓代工採用7奈米級製程生產,使用傳統覆晶球柵陣列(FCBGA)封裝,並推測搭載16GB GDDR6記憶體。特斯拉將其視為現行全自動輔助駕駛(FSD)技術的效能基準。

然而,特斯拉並未正式公布該晶片的實際運算效能、記憶體容量及功耗,因此外界難以進行精確比較。

由於特斯拉未公開HW4的運算效能、記憶體容量及功耗,外界只能透過既有資訊推估。馬斯克曾表示,HW4效能約為前一代HW3的3至8倍,而HW3官方規格為72 TOPS,據此推算,HW4效能約為216至576 TOPS。

SI5先行導入多晶粒設計 SI6採2奈米製程

在SI6推出之前,特斯拉預計先推出第五代推論加速器SI5,也就是先前稱為HW5或AI5的晶片。該晶片將分別由台積電(2330-TW) 及三星(005930KS) 採用3奈米級與2奈米級製程生產,並導入多晶片模組(MCM)設計,改變HW4採用的傳統封裝方式。

特斯拉預期SI5效能將達HW4的40倍。馬斯克曾表示,這項提升來自運算能力增加8倍,以及透過矽晶最佳化再提升5倍。若以HW4估算效能為基準,SI5運算能力約為8,640至23,040 TOPS。

SI5的功耗預計介於250至800瓦,實際數值將依應用情境而異,因此現階段難以進一步準確估算其效能表現。記憶體容量則預計達96GB,為前一代的6倍;若採用GDDR6或GDDR7記憶體,頻寬可能介於768GB/s至1.536TB/s。

至於第六代推論加速器SI6,特斯拉預計進一步將運算效能提升至HW4的80倍,記憶體容量則達現行處理器的8倍。依據HW4效能的不同估算方式,SI6的運算效能可能達17.28至46.08 POPS(每秒千兆次運算),記憶體容量則為144GB。

特斯拉已與三星晶圓代工簽署合作協議,委由三星生產第六代推論加速器,合作期限至2033年。最新簡報也顯示,SI6將採用2奈米級製程。

考慮到SI6預計於2029年至2030年推出,以及三星最新公布的晶圓代工製程藍圖,相關製程可能包括車用級SF2A、效能強化版SF2P,甚至具備背面供電技術的SF2Z。

值得注意的是,特斯拉目前並未規劃在2030年代透過Terafab採用英特爾(INTC-US) 14A製程生產SI6。封裝方面,SI6將延續SI5的多晶片模組設計,藉此沿用第五代晶片累積的技術經驗,同時控制封裝成本。

隨著AI模型對運算及記憶體需求持續攀升,多晶粒架構與HBM也逐漸成為車廠規劃下一代系統級封裝(SiP)的技術選項。不過,這類設計也將推高晶片成本。至於特斯拉何時會在推論加速器導入HBM,目前仍未有明確時間表,但SI6可能還不會導入這項技術。

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